Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 19 » Статья стр. 7
<<<>>>
Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков
DOI: 10.21883/PJTF.2021.19.51504.18799
Бахадырханов М.К. 1, Илиев Х.М.1, Мавлонов Г.Х.1, Ибодуллаев Ш.Н.1, Тачилин С.А.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: bahazeb@yandex.com, shakhboz.ibodullayev.92@inbox.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 14 июня 2021 г.
Принята к печати: 17 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2021 г.
PDF версия
Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца. Ключевые слова: многофункциональный датчик, отрицательное магнитосопротивление, кремний, нанокластер, марганец.
  1. В.М. Шарапов, Е.С. Полищук, Н.Д. Кошевой, Г.Г. Ишанин, И.Г. Минаев, А.С. Совлуков, Датчики. Справочное пособие (Техносфера, М., 2012)
  2. Б. Топильский, Микроэлектронные измерительные преобразователи (БИНОМ. Лаборатория знаний, М., 2013)
  3. Е.А. Ломтев, П.Г. Михайлов, А.У. Аналиева, А.О. Сазонов, Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2 (12), 57 (2015)
  4. А.А. Дружинин, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, А.М. Вуйцик, Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 4, 23 (2013)
  5. S.K. Bux, R.G. Blair, P.K. Gogna, H. Lee, G. Chen, M.S. Dresselhaus, R.B. Kaner, J.P. Fleurial, Adv. Funct. Mater., 19, 2445 (2009). DOI: 10.1002/ADFM.200900250
  6. В.И. Фистуль, В.М. Казакова, Ю.А. Бобриков, А.В. Рябцев, К.П. Абдурахманов, С. Зайнабидинов., Т.С. Камилов, Ш.Б. Утамурадова, ФТП, 16 (5), 939 (1982)
  7. G.W. Ludwig, H.H. Woodbury, R.O. Carlson, J. Phys. Chem. Solids, 8, 490 (1959)
  8. М.К. Бахадырханов, К.С. Аюпов, Г.Х. Мавлонов, С.Б. Исамов, ФТП, 44 (9), 1181 (2010). [M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlyanov, S.B. Isamov, Semiconductors, 44 (9), 1145 (2010). DOI: 10.1134/S106378261009006X]
  9. М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлонов, С.Б. Исамов, Х.М Илиев, К.С. Аюпов, З.М. Сапарниязова, С.А. Тачилин, Неорган. материалы, 47 (5), 545 (2011). [M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin, Inorgan. Mater., 47 (5), 479 (2011). DOI: 10.1134/S0020168511050062]
  10. М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлонов, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, О.Э. Саттаров, С.А. Тачилин, ФТП, 48 (8), 1014 (2014). [M.K. Bakhadirkhanov, G.H. Mavlonov, X.M. Iliev, K.S. Ayupov, O.E. Sattarov, C.A. Tachilin, Semiconductors, 48 (8), 986 (2014). DOI: 10.1134/S106378261408003X]
  11. М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, Г.Х. Мавлонов, К.С. Аюпов, С.Б. Исамов, С.А. Тачилин, ЖТФ, 89 (3), 421 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.03.47179.184-18 [M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, K.S. Ayupov, S.B. Isamov, S.A. Tachilin, Tech. Phys., 64 (3), 385 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219030046]
  12. Л.И. Королёва, И.К. Баташев, А.С. Морозов, А.М. Балбашов, H. Szymczak, ЖТФ, 88 (2), 228 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45413.2358 [L.I. Koroleva, I.K. Batashev, A.S. Morozov, A.M. Balbashov, H. Szymczak, A. Slawska-Waniew, Tech. Phys., 63 (2), 220 (2018). DOI: 10.1134/S1063784218020202]
  13. В.В. Устинов, А.Б. Ринкевич, Л.Н. Ромашев, Д.В. Перов, ЖТФ, 74 (5), 94 (2004). [V.V. Ustinov, A.B. Rinkevich, L.N. Romashev, D.V. Perov, Tech. Phys., 49 (5), 613 (2004). DOI: 10.1134/1.1758338]
  14. А.С. Газизулина, А.А. Насиров, А.А. Небесный, П.Б. Парчинский, Dojin Kim, ФТП, 55 (2), 159 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50503.9502 [A.S. Gazizulina, A.A. Nasirov, A.A. Nebesniy, P.B. Parchinskiy, Dojin Kim, Semiconductors, 55 (2), 214 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621020123]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme