Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoOx/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание, 075-01024-21-00
Баранов А.И.1,2, Кудряшов Д.А.1,2, Уваров А.В.1,2, Морозов И.А.1,2, Максимова А.А.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov_art@spbau.ru, kudryashovda@gmail.com, lumenlight@mail.ru, morivan@mail.ru, deer.blackgreen@yandex.ru, cate.viacheslavova@yandex.ru, gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 9 мая 2021 г.
Принята к печати: 11 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2021 г.
Показана возможность применения спектроскопии полной проводимости для оценки качества структур ITO/МоОx/n-Si. Продемонстрировано, что при магнетронном напылении слоя ITO при комнатной температуре в приповерхностной области Si вблизи границы МоОx/Si формируются радиационные дефекты с глубиной залегания 0.13 и 0.26 eV ниже зоны проводимости с площадью сечения захвата (1-5)· 10-19 и (5-10)· 10-19 cm2 соответственно. Повышение температуры напыления слоя ITO до 130oC позволяет снизить концентрацию дефектов ниже порога чувствительности и приводит к значительному улучшению характеристик солнечных элементов. Ключевые слова: оксид молибдена, кремний, селективный контакт, солнечный элемент, спектроскопия полной проводимости, радиационные дефекты.
- K. Yoshikawa, W. Yoshida, T. Irie, H. Kawasaki, K. Konishi, H. Ishibashi, T. Asatani, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Solar Energy Mater. Solar Cells., 173, 37 (2017). DOI: 10.1016/j.solmat.2017.06.024
- J. Melskens, B. Van de Loo, B. Macco, L. Black, S. Smit, W.M.M. Kessels, IEEE J. Photovolt., 8 (2), 373 (2018). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2797106
- T. Sun, R. Wang, R. Liu, C. Wu, Y. Zhong, Y. Liu, Y. Wang, Y. Han, Z. Xia, Y. Zou, T. Song, N. Koch, S. Duhm, B. Sun, Phys. Status Solidi (RRL), 11 (7), 1700107 (2017). DOI: 10.1002/pssr.201700107
- M. Nayak, S. Mudgal, S. Mandal, S. Singh, V. Komarala, AIP Conf. Proc., 2147, 040014 (2019). DOI: 10.1063/1.5123841
- D.L. Losee, J. Appl. Phys., 46 (5), 2204 (1975). DOI: 10.1063/1.321865
- A.S. Gudovskikh, J.-P. Kleider, E.I. Terukov, ФТП, 39 (8), 904 (2005). DOI: 10.1134/1.2010683
- A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 216 (10), 1800617 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201800617
- T.P. Weiss, S. Nishiwaki, B. Bissig, S. Buecheler, A.N. Tiwari, Phys. Chem. Chem. Phys., 19 (45), 30410 (2017). DOI: 10.1039/C7CP05236G
- B. Demaurex, S. De Wolf, A. Descoeudres, Z. Charles Holman, C. Ballif, J. Appl. Phys., 101 (17), 171604 (2012). DOI: 10.1063/1.4764529
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.