"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoOx/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание, 075-01024-21-00
Баранов А.И.1,2, Кудряшов Д.А.1,2, Уваров А.В.1,2, Морозов И.А.1,2, Максимова А.А.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov_art@spbau.ru, kudryashovda@gmail.com, lumenlight@mail.ru, morivan@mail.ru, deer.blackgreen@yandex.ru, cate.viacheslavova@yandex.ru, gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 9 мая 2021 г.
Принята к печати: 11 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2021 г.

Показана возможность применения спектроскопии полной проводимости для оценки качества структур ITO/МоОx/n-Si. Продемонстрировано, что при магнетронном напылении слоя ITO при комнатной температуре в приповерхностной области Si вблизи границы МоОx/Si формируются радиационные дефекты с глубиной залегания 0.13 и 0.26 eV ниже зоны проводимости с площадью сечения захвата (1-5)· 10-19 и (5-10)· 10-19 cm2 соответственно. Повышение температуры напыления слоя ITO до 130oC позволяет снизить концентрацию дефектов ниже порога чувствительности и приводит к значительному улучшению характеристик солнечных элементов. Ключевые слова: оксид молибдена, кремний, селективный контакт, солнечный элемент, спектроскопия полной проводимости, радиационные дефекты.
  1. K. Yoshikawa, W. Yoshida, T. Irie, H. Kawasaki, K. Konishi, H. Ishibashi, T. Asatani, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Solar Energy Mater. Solar Cells., 173, 37 (2017). DOI: 10.1016/j.solmat.2017.06.024
  2. J. Melskens, B. Van de Loo, B. Macco, L. Black, S. Smit, W.M.M. Kessels, IEEE J. Photovolt., 8 (2), 373 (2018). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2797106
  3. T. Sun, R. Wang, R. Liu, C. Wu, Y. Zhong, Y. Liu, Y. Wang, Y. Han, Z. Xia, Y. Zou, T. Song, N. Koch, S. Duhm, B. Sun, Phys. Status Solidi (RRL), 11 (7), 1700107 (2017). DOI: 10.1002/pssr.201700107
  4. M. Nayak, S. Mudgal, S. Mandal, S. Singh, V. Komarala, AIP Conf. Proc., 2147, 040014 (2019). DOI: 10.1063/1.5123841
  5. D.L. Losee, J. Appl. Phys., 46 (5), 2204 (1975). DOI: 10.1063/1.321865
  6. A.S. Gudovskikh, J.-P. Kleider, E.I. Terukov, ФТП, 39 (8), 904 (2005). DOI: 10.1134/1.2010683
  7. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 216 (10), 1800617 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201800617
  8. T.P. Weiss, S. Nishiwaki, B. Bissig, S. Buecheler, A.N. Tiwari, Phys. Chem. Chem. Phys., 19 (45), 30410 (2017). DOI: 10.1039/C7CP05236G
  9. B. Demaurex, S. De Wolf, A. Descoeudres, Z. Charles Holman, C. Ballif, J. Appl. Phys., 101 (17), 171604 (2012). DOI: 10.1063/1.4764529

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.