"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
РНФ, 18-72-10061
РФФИ, 19-29-03026
Воронцов В.А.1, Антонов Д.А. 1, Круглов A.В.1, Антонов И.Н. 1, Koтомина В.E.1, Шенгуров В.Г. 1, Денисов С.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Филатов Д.О.1, Горшков O.Н.1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: antonov@phys.unn.ru, kruglov@phys.unn.ru, ivant@nifti.unn.ru, shengurov@phys.unn.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, gorshkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 27 апреля 2021 г.
Принята к печати: 30 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2021 г.

Экспериментально продемонстрирован эффект резистивного переключения в отдельных дислокациях в мемристорных структурах Ag/Ge/Si(001) методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом. На вольт-амперных характеристиках дислокаций обнаружен гистерезис, типичный для биполярного резистивного переключения, связанного с формированием и разрушением Ag-филамента в слое Ge в результате дрейфа ионов Ag+ вдоль ядра дислокации. Ключевые слова: резистивное переключение, мемристор, гетероструктуры Ge/Si, дислокации, ионное травление, атомно-силовая микроскопия.
  1. S.H. Lee, X. Zhu, W.D. Lu, Nano Res., 13, 1228 (2020). DOI: 10.1007/s12274-020-2616-0
  2. D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams, Nature, 453, 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
  3. J. Ouyang, Emerging resistive switching memories (Springer, 2016)
  4. A. James, Memristor and memristive neural networks (Intech, 2018)
  5. D. Ielmini, R. Waser, Resistive switching: from fundamentals of nanoionic redox processes to memristive device applications (Wiley-VCH, 2016)
  6. S. Choi, S.H. Tan, Z. Li, Y. Kim, C. Choi, P.-Y. Chen, H. Yeon, S. Yu, J. Kim, Nature Mater., 17, 335 (2018). DOI: 10.1038/s41563-017-0001-5
  7. M. Lanza, Conductive atomic force microscopy: applications in nanomaterials (Wiley-VCH, 2017)
  8. K. Szot, G. Bihlmayer, W. Speier, Solid State Phys., 65, 353 (2014). DOI: 10.1016/B978-0-12-800175-2.00004-2
  9. S.A. Denisov, S.A. Matveev, V.Yu. Chalkov, V.G. Shengurov, J. Phys.: Conf. Ser., 690, 012014 (2016). DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012014
  10. О.Н. Горшков, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, М.Е. Шенина, В.Е. Котомина, Д.О. Филатов, Д.А. Серов, Письма в ЖТФ, 46 (2), 44 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075
  11. D.O. Filatov, M.E. Shenina, V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, A.V. Kruglov, V.A. Vorontsov, D.A. Pavlov, O.N. Gorshkov, Semiconductors, 54 (14), 1833 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620140109
  12. O. Gorshkov, D. Filatov, S. Koveshnikov, M. Shenina, O. Soltanovich, V. Shengurov, S. Denisov, V. Chalkov, I. Antonov, D. Pavlov, V. Vorontsov, A. Kruglov, E. Yakimov, J. Phys.: Conf. Ser., 1695, 012158 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012158
  13. А.С. Дерябин, Л.В. Соколов, Е.М. Труханов, К.Б. Фрицлер, Письма в ЖТФ, 44 (20), 30 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.20.46803.17322

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.