"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
Министерства науки и высшего образования РФ , Работа выполнена в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № FFNF-2021-0001
Министерства науки и высшего образования РФ , Работа выполнена в рамках госзадания СПбГУ № 61520973
Черкашин Н.А.1, Сахаров А.В. 2, Николаев А.Е. 2,3, Лундин В.В. 3, Усов С.О. 2, Устинов В.М. 2, Гращенко А.С. 4, Кукушкин С.А. 4, Осипов А.В. 5, Цацульников А.Ф. 2
1CEMES−CNRS and Universit´e de Toulouse, Toulouse, France
2НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikolay.cherkashin@cemes.fr, val@beam.ioffe.rssi.ru, aen@mail.ioffe.ru, lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru, s.usov@mail.ioffe.ru, Vmust@beam.ioffe.ru, asgrashchenko@bk.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, andrey.v.osipov@gmail.com, andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2021 г.
Принята к печати: 29 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2021 г.

Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III-N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
  1. A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Blasing, K. Fehse, A. Diez, A. Krost, Appl. Phys. Lett., 80 (20), 3670 (2002). DOI: 10.1063/1.1479455
  2. T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka, T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (6B), L663 (2002). DOI: 10.1143/JJAP.41.L663
  3. B. Zhang, H. Liang, Y. Wang, Z. Feng, K.W. Ng, K.M. Lau, J. Cryst. Growth., 298, 725 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.170
  4. W.E. Fenwick, A. Melton, T. Xu, N. Li, C. Summers, M. Jamil, I.T. Ferguson, Appl. Phys. Lett., 94 (22), 222105 (2009). DOI: 10.1063/1.3148328
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, ФТТ, 50 (7), 1188 (2008). [Пер. версия: 10.1134/S10637834080 70081]
  6. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов, ФТТ, 56 (8), 1457 (2014). [Пер. версия: 10.1134/S1063783414080137]
  7. S.A. Kukushkin, Sh.Sh. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk, ECS J. Solid State Sci. Technol., 7 (9), 480 (2018). DOI: 10.1149/2.0191809jss
  8. V.S. Kopp, V.M. Kaganer, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.V. Verkhovtceva, M.A. Yagovkina, N. Cherkashin, J. Appl. Phys., 115 (7), 073507 (2014). DOI: doi.org/10.1063/1.4865502
  9. Я.Е. Гегузин, Диффузионная зона (Наука, М., 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.