"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-29-12053
Министерство образования и науки РФ , FSRM-2020-0008
Горай Л.И. 1,2, Пирогов Е.В. 1, Свечников М.В. 3, Соболев М.С. 1, Поляков Н.К. 1,2, Герчиков Л.Г. 1,4, Никитина Е.В.1, Дашков А.С. 1, Борисов М.М. 5, Якунин С.Н.5, Буравлев А.Д. 2,6,7,8
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
6Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
7Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ”ЛЭТИ“, Санкт-Петербург, Россия
8Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lig@pcgrate.com, zzzavr@gmail.com, svechnikovmv@gmail.com, sobolevsms@gmail.com, pnk56@mail.ru, lgerchikov@mail.ru, borisov.kcsr@gmail.com, s.n.yakunin@gmail.com, bour@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2021 г.
Принята к печати: 27 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2021 г.

Методами рентгеновской рефлектометрии (в том числе на синхротронном источнике) и фотолюминесценции определена морфология сверхмногопериодных сверхрешеток Al0.3Ga0.7As/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найденные с помощью лабораторных и синхротронных исследований толщины слоев сверхрешетки со 100 периодами коррелируют с точностью ~ 1%. На синхротроне начиная с высоких (>4-5) брэгговских порядков обнаружены пики отражения, которые не наблюдаются при измерениях на дифрактометре и связаны, по-видимому, с технологическими особенностями роста таких структур. Из анализа следует, что пики соответствуют модуляции в сверхрешетке с периодом, в ~ 3-5 раз большим, и характеризуют разброс толщин по глубине структуры в несколько процентов. Ключевые слова: сверхрешетка AlGaAs/GaAs, молекулярно-пучковая эпитаксия, рентгеновская рефлектометрия, синхротронный источник, фотолюминесценция.
  1. L.I. Goray, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, I.V. Ilkiv, A.S. Dashkov, Yu.A. Vainer, M.V. Svechnikov, P.A. Yunin, N.I. Chkhalo, A.D. Bouravlev, Semiconductors, 53 (14), 1910 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619140082
  2. A.A. Andronov, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremianin, V.I. Pozdnjakova, Y.N. Nozdrin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, M.A. Ladugin, V.A. Belyakov, I.V. Ladenkov, A.G. Fefelov, Semiconductors, 52 (4), 431 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618040048
  3. И.В. Алтухов, С.Е. Дижур, М.С. Каган, С.К. Папроцкий, Н.А. Хвальковский, А.Д. Буравлев, А.П. Васильев, Ю.М. Задиранов, Н.Д. Ильинская, А.А. Усикова, В.М. Устинов, Письма в ЖЭТФ, 103 (2), 128 (2016). DOI: 10.7868/S0370274X16020090 [Пер. версия: 10.1134/S002136401602003X]
  4. L.I. Goray, E.V. Pirogov, E.V. Nikitina, E.V. Ubyivovk, L.G. Gerchikov, A.N. Ipatov, A.S. Dashkov, M.S. Sobolev, I.V. Ilkiv, A.D. Bouravlev, Semiconductors, 53 (14), 1914 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619140094
  5. A.A. Andronov, E.P. Dodin, D.I. Zinchenko, Yu.N. Nozdrin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, Quantum Electron., 40, 400 (2010). DOI: 10.1070/QE2010v040n05ABEH014298
  6. M.I. Amanti, G. Scalari, R. Terazzi, M. Fischer, M. Beck, J. Faist, A. Rudra, P. Gallo, E. Kapon, New J. Phys., 11, 125022 (2009). DOI: 10.1088/1367-2630/11/12/125022
  7. L. Goray, E. Pirogov, M. Sobolev, I. Ilkiv, A. Dashkov, E. Nikitina, E. Ubyivovk, L. Gerchikov, A. Ipatov, Yu. Vainer, M. Svechnikov, P. Yunin, N. Chkhalo, A. Bouravlev, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 455103 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/aba4d6
  8. U. Pietsch, V. Holy, T. Baumbach, High-resolution X-ray scattering: from thin films to lateral nanostructures (Springer, Berlin, 2004)
  9. V.I. Punegov, K.M. Pavlov, A.V. Karpov, N.N. Faleev, J. Appl. Cryst., 50, 1256 (2017). DOI: 10.1107/S1600576717010123
  10. M. Borcha, I. Fodchuk, M. Solodkyia, M. Baidakova, J. Appl. Cryst., 50, 722 (2017). DOI: 10.1107/S1600576717006574
  11. I.V. Kozhevnikov, L. Peverini, E. Ziegler, Phys. Rev. B, 85, 125439 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.125439
  12. Вебсайт Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований [Электронный ресурс]. URL: http://kcsni.nrcki.ru/pages/main/sync/beamlines/phaza/ index.shtml (дата обращения 22.03.21)
  13. C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz, J. Electrochem. Soc., 127, 1366 (1980)
  14. Н.А. Торхов, ФТП, 37 (10), 1205 (2003). [Пер. версия: 10.1134/1.1619513]
  15. M. Svechnikov, J. Appl. Cryst., 53, 244 (2019). DOI: 10.1107/S160057671901584X
  16. Website of I.I.G., Inc. [Электронный ресурс]. URL: http://pcgrate.com (дата обращения 22.03.21)
  17. Л.И. Горай, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, Н.К. Поляков, А.С. Дашков, М.В. Свечников, А.Д. Буравлев, ЖТФ, 90 (11), 1906 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49982.108-20 [Пер. версия: 10.1134/S1063784220110134]
  18. L.I. Goray, G. Schmidt, in: Gratings: theory and numerical applications, ed. by E. Popov, 2nd ed. (Presses Universitaires de Provence, 2014), p. 447. https://www.fresnel.fr/files/ gratings/Second-Edition/Chapter12.htm
  19. S.G. Podorov, N.N. Faleev, K.M. Pavlov, D.M. Paganin, S.A. Stepanov, E. Forster, J. Appl. Cryst., 39, 652 (2006). DOI: 10.1107/S0021889806025696
  20. A.V. Subashiev, L.G. Gerchikov, A.N. Ipatov, J. Appl Phys., 96, 1511 (2004). DOI: 10.1063/1.1763238
  21. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001). DOI: 10.1063/1.1368156
  22. H.E. Beere, J.C. Fowler, J. Alton, E.H. Linfield, D.A. Ritchie, R. Kohler, A. Tredicucci, G. Scalari, L. Ajili, J. Faist, S. Barbieri, J. Cryst. Growth, 278, 756 (2005). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.172
  23. Л.Г. Герчиков, А.С. Дашков, Л.И. Горай, А.Д. Буравлёв, ЖЭТФ, в печати

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.