Вышедшие номера
Золото-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
Russian Science Foundation , # 19-79-10143
Лунев Н.А.1,2, Замчий А.О. 1,2, Баранов Е.А.1, Меркулова И.Е.1,2, Константинов В.О.1, Корольков И.В.3, Максимовский Е.А.3, Володин В.А.2,4
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: zamchiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2021 г.
Принята к печати: 21 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.

Поправки к статье опубликованы в ПЖТФ, 48 (15), 45 (2022).
Впервые в результате золото-индуцированной кристаллизации аморфного субоксида кремния (a-SiOx) получен поликристаллический кремний (poly-Si). Показано, что в процессе отжига образца со структурой подложка/тонкая пленка золота/тонкая пленка a-SiO0.2 при 335oC poly-Si формируется в нижнем слое (на подложке), при этом золото диффундирует в верхний слой. При увеличении температуры до 370oC механизм формирования poly-Si остается неизменным, только возрастает скорость процесса кристаллизации. По-видимому, процесс формирования poly-Si протекает путем образования силицидов золота, которые практически полностью распадаются на кристаллические фазы золота и кремния при 370oC за 10 h. Ключевые слова: тонкие пленки, субоксид кремния, поликристаллический кремний, золото-индуцированная кристаллизация, комбинационное рассеяние света.