"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ №1055 от 02.07.2020
Езубченко И.С. 1, Черных М.Я. 1, Перминов П.А. 1, Грищенко Ю.В. 1, Трунькин И.Н. 1, Черных И.А. 1, Занавескин М.Л. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ezivan9@gmail.com, garaeva-maria@yandex.ru, pavlikap@mail.ru, grishchenko.jv@gmail.com, igor.trunckin@yandex.ru, igor.chernykh@gmail.com, zanaveskin.maxim@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2021 г.
Принята к печати: 20 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. Обнаружены пластические деформации подложки при температурах 930-975oC, возникающие в процессе роста при эффективном накоплении сжимающих напряжений в пленке. Предложен способ осуществления управляемой пластической деформации кремния за счет проведения высокотемпературного отжига, совмещенного с ростом in situ слоя SiNx, после роста гетероструктуры. Данный подход позволит упростить подбор архитектуры нитрид-галлиевых гетероструктур для различных технологических задач. Ключевые слова: нитридная гетероструктура, металлоорганическая газофазная эпитаксия, нитрид галлия, кремний, пластическая деформация.
  1. T. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 58, SC0804 (2019). DOI: 10.7567/1347-4065/ab12c9
  2. P. Fay, D. Jena, P. Maki, High-frequency GaN electronic devices (Springer, Cham, 2020), p. 1--40
  3. K.J. Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C.L. Tsai, T. Ueda, Y. Uemoto, Y. Wu, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (3), 779 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2657579
  4. Y. Cao, O. Laboutin, C.-F. Lo, K. O'Connor, D. Hill, W. Johnson, in 2014 CS MANTECH digest (Denver, 2014), p. 261. https://csmantech.org/ Digests/2014/papers/073.pdf
  5. И.С. Езубченко, М.Я. Черных, А.А. Андреев, Ю.В. Грищенко, И.А. Черных, М.Л. Занавескин, Рос. нанотехнологии, 14 (7-8), 77 (2019). DOI: 10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80 [Пер. версия: 10.1134/S1995078019040050]
  6. L. Zhang, K.H. Lee, I.M. Riko, C.-C. Huang, A. Kadir, K.E. Lee, S.J. Chua, E.A. Fitzgerald, Semicond. Sci. Technol., 32 (6), 065001 (2007). DOI: 10.1088/1361-6641/aa681c
  7. P.-J. Lin, C.-H. Tien, T.-Y. Wang, C.-L. Chen, S.-L. Ou, B.-C. Chung, D.-S. Wuu, Crystals, 7 (5), 134 (2017). DOI: 10.3390/cryst7050134
  8. A. Dadgar, S. Fritze, O. Schulz, J. Hennig, J. Blasing, H. Witte, A. Diez, U. Heinle, M. Kunze, I. Daumiller, K. Haberlan, A. Krost, J. Cryst. Growth, 370 (1), 278 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.017
  9. A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, R. Clos, Phys. Status Solidi A, 200 (1), 26 (2003). DOI: 10.1002/pssa.200303428

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.