Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ №1055 от 02.07.2020
Езубченко И.С.
1, Черных М.Я.
1, Перминов П.А.
1, Грищенко Ю.В.
1, Трунькин И.Н.
1, Черных И.А.
1, Занавескин М.Л.
11Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
![National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia](/images/e16.png)
Email: ezivan9@gmail.com, garaeva-maria@yandex.ru, pavlikap@mail.ru, grishchenko.jv@gmail.com, igor.trunckin@yandex.ru, igor.chernykh@gmail.com, zanaveskin.maxim@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2021 г.
Принята к печати: 20 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. Обнаружены пластические деформации подложки при температурах 930-975oC, возникающие в процессе роста при эффективном накоплении сжимающих напряжений в пленке. Предложен способ осуществления управляемой пластической деформации кремния за счет проведения высокотемпературного отжига, совмещенного с ростом in situ слоя SiNx, после роста гетероструктуры. Данный подход позволит упростить подбор архитектуры нитрид-галлиевых гетероструктур для различных технологических задач. Ключевые слова: нитридная гетероструктура, металлоорганическая газофазная эпитаксия, нитрид галлия, кремний, пластическая деформация.
- T. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 58, SC0804 (2019). DOI: 10.7567/1347-4065/ab12c9
- P. Fay, D. Jena, P. Maki, High-frequency GaN electronic devices (Springer, Cham, 2020), p. 1--40
- K.J. Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C.L. Tsai, T. Ueda, Y. Uemoto, Y. Wu, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (3), 779 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2657579
- Y. Cao, O. Laboutin, C.-F. Lo, K. O'Connor, D. Hill, W. Johnson, in 2014 CS MANTECH digest (Denver, 2014), p. 261. https://csmantech.org/ Digests/2014/papers/073.pdf
- И.С. Езубченко, М.Я. Черных, А.А. Андреев, Ю.В. Грищенко, И.А. Черных, М.Л. Занавескин, Рос. нанотехнологии, 14 (7-8), 77 (2019). DOI: 10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80 [Пер. версия: 10.1134/S1995078019040050]
- L. Zhang, K.H. Lee, I.M. Riko, C.-C. Huang, A. Kadir, K.E. Lee, S.J. Chua, E.A. Fitzgerald, Semicond. Sci. Technol., 32 (6), 065001 (2007). DOI: 10.1088/1361-6641/aa681c
- P.-J. Lin, C.-H. Tien, T.-Y. Wang, C.-L. Chen, S.-L. Ou, B.-C. Chung, D.-S. Wuu, Crystals, 7 (5), 134 (2017). DOI: 10.3390/cryst7050134
- A. Dadgar, S. Fritze, O. Schulz, J. Hennig, J. Blasing, H. Witte, A. Diez, U. Heinle, M. Kunze, I. Daumiller, K. Haberlan, A. Krost, J. Cryst. Growth, 370 (1), 278 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.017
- A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, R. Clos, Phys. Status Solidi A, 200 (1), 26 (2003). DOI: 10.1002/pssa.200303428
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.