Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных alpha- и ε-фаз Ga2O3 методом наноиндентирования
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, 0040-2014-0007
FSUE Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, AAAA-A18-118012790011-3
Гузилова Л.И.
1, Гращенко А.С.
2, Бутенко П.Н.
1, Чикиряка А.В.1, Печников А.И.
1, Николаев В.И.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2021 г.
Принята к печати: 7 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.
Исследовано сопротивление деформированию и трещинообразованию в эпитаксиальных слоях метастабильных alpha- и ε(kappa)-политипов оксида галлия (Ga2O3), выращенных на сапфировых подложках, при их наноиндентировании. Для alpha-Ga2O3 (0001) и ε(kappa)-Ga2O3 (001) определены значения твердости H (18.7 и 17.5 GPa соответственно) и модуля Юнга E (283.4 и 256.1 GPa соответственно). Установлено, что для ε(kappa)-Ga2O3 коэффициент интенсивности напряжений (характеристика трещиностойкости) K1c~ 0.67 MPa· m1/2, для alpha-Ga2O3 K1c~ 0.70 MPa· m1/2. Ключевые слова: оксид галлия, эпитаксиальные слои, наноиндентирование, механические свойства.
- S. Pearton, F. Ren, M. Mastro, Gallium oxide. Technology, devices and applications (Elsevier, 2019). https://doi.org/10.1016/C2017-0-01768-8
- S. Ponce, F Giustino, Phys. Rev. Res., 2 (3), 033102 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevResearch.2.033102
- Y.Q. Wu, S. Gao, H. Huang, Mater. Sci. Semicond. Proc., 71, 321 (2017). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.08.019
- Y.Q. Wu, S. Gao, R.K. Kang, H. Huang, J. Mater. Sci., 54 (3), 1958 (2019). DOI: 10.1007/s10853-018-2978-9
- S. Okada, K. Kudou, I. Higashi, Nippon Kagaku Kaishi, 1991 (10), 1426 (1991). [In Japanese]. DOI: 10.1246/nikkashi.1991.1426
- L.I. Guzilova, A.S. Grashchenko, A.I. Pechnikov, V.N. Maslov, D.V. Zav'yalov, V.L. Abdrachmanov, A.E. Romanov, V.I. Nikolaev, Mater. Phys. Mech., 29 (2), 166 (2016)
- В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников, Письма в ЖТФ, 45 (21), 51 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48476.17991
- E.G. Vi llora, S. Arjoca, K. Shimamura, D. Inomata, K. Aoki, Proc. of SPIE, 8987, 89871U (2017). DOI: 10.1117/12.2039305
- W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, Q. Hu, Y. Li, B. Wu, J. Zhang, X. Tao, J. Alloys Compd., 714, 453 (2017). DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.04.185
- А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, И.П. Сошников, ФТТ, 60 (5), 851 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45776.321
- J. Zhang, H. Zhou, Y. Xu, Y. Li, J. Shen, J. Synth. Cryst., 49 (6), 1064 (2020). [In Chinese]
- H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, M. Rerat, Phys. Rev. B, 74 (19), 195123 (2006). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.195123
- F. Mezzadri, G. Calestani, F. Boschi, D. Delmonte, M. Bosi, R. Fornari, Inorg. Chem., 55 (22), 12079 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b02244
- А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, ФТП, 53 (6), 789 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47730.9033
- S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Medvedev, G. Varygin, A. Chikiryaka, A. Pechnikov, M. Scheglov, S. Stepanov, V. Nikolaev, Phys. Status Solidi A, 217 (14), 1900892 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900892
- A.C. Fischer-Cripps, Naation (Springer, Heidelberg, 2011)
- V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, V.V. Nikolaev, M.P. Sheglov, A.V. Chikiryaka, S.I. Stepanov, in 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) (IEEE, 2019), p. 1-2. DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819271
- M.T. Laugier, J. Mater. Sci. Lett., 6 (8), 897 (1987). DOI: 10.1007/BF01729862
- I. Yonenaga, Mater. Trans., 46 (9), 1979 (2005). DOI: 10.2320/matertrans.46.1979
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.