"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных alpha- и ε-фаз Ga2O3 методом наноиндентирования
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, 0040-2014-0007
FSUE Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, AAAA-A18-118012790011-3
Гузилова Л.И. 1, Гращенко А.С. 2, Бутенко П.Н. 1, Чикиряка А.В.1, Печников А.И. 1, Николаев В.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2021 г.
Принята к печати: 7 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.

Исследовано сопротивление деформированию и трещинообразованию в эпитаксиальных слоях метастабильных alpha- и ε(kappa)-политипов оксида галлия (Ga2O3), выращенных на сапфировых подложках, при их наноиндентировании. Для alpha-Ga2O3 (0001) и ε(kappa)-Ga2O3 (001) определены значения твердости H (18.7 и 17.5 GPa соответственно) и модуля Юнга E (283.4 и 256.1 GPa соответственно). Установлено, что для ε(kappa)-Ga2O3 коэффициент интенсивности напряжений (характеристика трещиностойкости) K1c~ 0.67 MPa· m1/2, для alpha-Ga2O3 K1c~ 0.70 MPa· m1/2. Ключевые слова: оксид галлия, эпитаксиальные слои, наноиндентирование, механические свойства.
  1. S. Pearton, F. Ren, M. Mastro, Gallium oxide. Technology, devices and applications (Elsevier, 2019). https://doi.org/10.1016/C2017-0-01768-8
  2. S. Ponce, F Giustino, Phys. Rev. Res., 2 (3), 033102 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevResearch.2.033102
  3. Y.Q. Wu, S. Gao, H. Huang, Mater. Sci. Semicond. Proc., 71, 321 (2017). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.08.019
  4. Y.Q. Wu, S. Gao, R.K. Kang, H. Huang, J. Mater. Sci., 54 (3), 1958 (2019). DOI: 10.1007/s10853-018-2978-9
  5. S. Okada, K. Kudou, I. Higashi, Nippon Kagaku Kaishi, 1991 (10), 1426 (1991). [In Japanese]. DOI: 10.1246/nikkashi.1991.1426
  6. L.I. Guzilova, A.S. Grashchenko, A.I. Pechnikov, V.N. Maslov, D.V. Zav'yalov, V.L. Abdrachmanov, A.E. Romanov, V.I. Nikolaev, Mater. Phys. Mech., 29 (2), 166 (2016)
  7. В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников, Письма в ЖТФ, 45 (21), 51 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48476.17991
  8. E.G. Vi llora, S. Arjoca, K. Shimamura, D. Inomata, K. Aoki, Proc. of SPIE, 8987, 89871U (2017). DOI: 10.1117/12.2039305
  9. W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, Q. Hu, Y. Li, B. Wu, J. Zhang, X. Tao, J. Alloys Compd., 714, 453 (2017). DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.04.185
  10. А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, И.П. Сошников, ФТТ, 60 (5), 851 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45776.321
  11. J. Zhang, H. Zhou, Y. Xu, Y. Li, J. Shen, J. Synth. Cryst., 49 (6), 1064 (2020). [In Chinese]
  12. H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, M. Rerat, Phys. Rev. B, 74 (19), 195123 (2006). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.195123
  13. F. Mezzadri, G. Calestani, F. Boschi, D. Delmonte, M. Bosi, R. Fornari, Inorg. Chem., 55 (22), 12079 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b02244
  14. А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, ФТП, 53 (6), 789 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47730.9033
  15. S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Medvedev, G. Varygin, A. Chikiryaka, A. Pechnikov, M. Scheglov, S. Stepanov, V. Nikolaev, Phys. Status Solidi A, 217 (14), 1900892 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900892
  16. A.C. Fischer-Cripps, Naation (Springer, Heidelberg, 2011)
  17. V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, V.V. Nikolaev, M.P. Sheglov, A.V. Chikiryaka, S.I. Stepanov, in 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) (IEEE, 2019), p. 1-2. DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819271
  18. M.T. Laugier, J. Mater. Sci. Lett., 6 (8), 897 (1987). DOI: 10.1007/BF01729862
  19. I. Yonenaga, Mater. Trans., 46 (9), 1979 (2005). DOI: 10.2320/matertrans.46.1979

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.