Вышедшие номера
Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца
Бахадирханов М.К.1, Ибодуллаев Ш.Н.1, Зикриллаев Н.Ф.1, Ковешников С.В.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: shakhboz.ibodullayev.92@inbox.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2021 г.
Принята к печати: 1 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 4 мая 2021 г.

Показана возможность использования кремния с нанокластерами атомов марганца для создания фоторезисторов в области спектра λ=1.2-3 μm. Установлено, что такие фотоприемники обладают пороговой чувствительностью порядка 10-11 W на длине волны 1.55 μm. Квантовая эффективность на длине волны 2 μm превышает 10% и составляет 0.1% на длине волны 2.5 μm, что позволяет использовать примесную фоточувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца для создания высокоразрешающих матричных фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне до 2.5 μm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.