"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO3 и композита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x в обучаемых импульсных нейроморфных сетях
Российский научный фонд, 20-79-10185
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых - кандидатов наук, МК-2203.2021.1.2
Ильясов А.И.1,2, Емельянов А.В. 1, Никируй К.Э.1, Миннеханов А.А. 1, Кукуева Е.В.1, Суражевский И.А.1, Ситников А.В.1, Рыльков В.В.1,3, Демин В.А.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: emelyanov.andrey@mail.ru, minnekhanov_aa@nrcki.ru, sashailyasov99@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 2 марта 2021 г.
Принята к печати: 19 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 4 мая 2021 г.

Изучены мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/нанокомпозит/LiNbO3/Cu на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x и аморфной прослойки LiNbO3 с толщинами около 40 и 20 nm соответственно. Установлено, что данные структуры обладают относительно низкими напряжениями (~ 2 V) резистивного переключения при устойчивости к циклическим переключениям более 104 из-за формирования проводящих каналов в LiNbO3 в фиксированных областях, задаваемых положением перколяционных цепочек из CoFe-наногранул в нанокомпозите. Показано, что проводимость мемристоров Cu/нанокомпозит/LiNbO3/Cu может изменяться по локальным биоподобным правилам. Реализована простая нейроморфная сеть на базе данных мемристоров, обучаемая путем подачи на ее входы частотно-кодированного шумового сигнала. Ключевые слова: мемристор, нанокомпозит, резистивное переключение, электронный мемристивный синапс, импульсная нейроморфная сеть.
  1. K. Berggren, Q. Xia, K.K. Likharev, D.B Strukov, H. Jiang, T. Mikolajick, D. Querlioz, M. Salinga, J.R. Erickson, S. Pi, F. Xiong, P. Lin, C. Li, Y. Chen, S. Xiong, B.D. Hoskins, M.W. Daniels, A. Madhavan, J.A. Liddle, J.J. McClelland, Y. Yang, J. Rupp, S.S. Nonnenmann, K.-T. Cheng, N. Gong, M.A. Lastras-Montano, A.A. Talin, A. Salleo, B.J. Shastri, T.F. de Lima, P. Prucnal, A.N. Tait, Y. Shen, H. Meng, C. Roques-Carmes, Z. Cheng, H. Bhaskaran, D. Jariwala, H. Wang, J.M. Shainline, K. Segall, J.J. Yang, K. Roy, S. Datta, A. Raychowdhury, Nanotechnology, 32, 012002 (2021). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aba70f
  2. S. Shchanikov, A. Zuev, I. Bordanov, S. Danilin, V. Lukoyanov, D. Korolev, A. Belov, Y. Pigareva, A. Gladkov, A. Pimashkin, A. Mikhaylov, V. Kazantsev, A. Serb, Chaos Solit. Fract., 142, 110504 (2021). https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110504
  3. В.В. Рыльков, А.В. Емельянов, С.Н. Николаев, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, Е.А. Фадеев, В.А. Демин, А.Б. Грановский, ЖЭТФ, 158 (1) 164 (2020). DOI: 10.31857/S0044451020070159
  4. M. Prezioso, F. Merrikh-Bayat, B.D. Hoskins, G.C. Adam, K.K. Likharev, D.B. Strukov, Nature, 521, 61 (2015). https://doi.org/10.1038/nature14441
  5. C. Li, Z. Wang, M. Rao, D. Belkin, W. Song, H. Jiang, P. Yan, Y. Li, P. Lin, M. Hu, N. Ge, J.P. Strachan, M. Barnell, Q. Wu, R.S. Williams, J.J. Yang, Q. Xia, Nature Mach. Intell., 1, 49 (2019). https://doi.org/10.1038/s42256-018-0001-4
  6. J. Moon, W. Ma, J.H. Shin, F. Cai, C. Du, S.H. Lee, W.D. Lu, Nature Electron., 2, 480 (2019). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0313-3
  7. K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, A.V. Sitnikov, A.A. Minnekhanov, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, AIP Adv., 9, 065116 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5111083
  8. A.N. Matsukatova, A.V. Emelyanov, A.A. Minnekhanov, A.A. Nesmelov, A.Yu. Vdovichenko, S.N. Chvalun, V.V. Rylkov, P.A. Forsh, V.A. Demin, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, Appl. Phys. Lett., 117, 243501 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0030069
  9. J.H. Ryu, S. Kim, Chaos Solit. Fract., 140, 110236 (2020). https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110236
  10. D. Querlioz, O. Bichler, P. Dollfus, C. Gamrat, IEEE Trans. Nanotechnol., 12 (3), 288 (2013). DOI: 10.1109/TNANO.2013.2250995
  11. S. Brivio, D. Conti, M.V. Nair, J. Frascaroli, E. Covi, C. Ricciardi, G. Indiveri, S. Spiga, Nanotechnology, 30, 015102 (2019). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aae81c
  12. V.A. Demin, D.V. Nekhaev, I.A. Surazhevsky, K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, S.N. Nikolaev, V.V. Rylkov, M.V. Kovalchuk, Neural Networks, 134, 64 (2021). https://doi.org/10.1016/j.neunet.2020.11.005
  13. A. Serb, J. Bill, A. Khiat, R. Berdan, R. Legenstein, T. Podromakis, Nature Commun., 7, 12611 (2016). https://doi.org/10.1038/ncomms12611
  14. A.V. Emelyanov, K.E. Nikiruy, A.V. Serenko, A.V. Sitnikov, M.Yu. Presnyakov, R.B. Rybka, A.G. Sboev, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.A. Demin, Nanotechnology, 31, 045201 (2020). https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab4a6d
  15. Q. Xia, J.J. Yang, Nature Mater., 18, 309 (2019). https://doi.org/10.1038/s41563-019-0291-x
  16. M. Prezioso, M.R. Mahmoodi, F.M. Bayat, H. Nili, H. Kim, A. Vincent, D.B. Strukov, Nature Commun., 9, 5311 (2018). https://doi.org/10.1038/s41467-018-07757-y
  17. S. Choi, S.H. Tan, Z. Li, Y. Kim, C. Choi, P.-Y. Chen, H. Yeon, S. Yu, J. Kim, Nature Mater., 17, 335 (2018). https://doi.org/10.1038/s41563-017-0001-5
  18. M.N. Martyshov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikiruy, A.A. Minnekhanov, S.N. Nikolaev, A.N. Taldenkov, A.V. Ovcharov, M. Yu. Presnyakov, A.V. Sitnikov, A.L. Vasiliev, P.A. Forsh, A.B. Granovsky, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.V. Rylkov, Phys. Rev. Appl., 14, 034016 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.034016
  19. W. Banerjee, Q. Liu, H. Hwang, J. Appl. Phys., 127, 051101 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5136264

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.