Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах a-Ge/a-Si:H
The Ministry of Education and Science of the Russian Federation, The Basic Research Program of Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Камаев Г.Н.
1, Володин В.А.
1,2, Кривякин Г.К.
1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: kamaev@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, krivyakin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 11 марта 2021 г.
Принята к печати: 17 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2021 г.
Исследована многослойная гетеронаноструктура, состоящая из трех пар слоев аморфного кремния и аморфного германия (a-Ge/a-Si:H), выращенная на подложке кремния методом низкочастотного плазмохимического осаждения при температуре 225oC. На основе анализа спектров комбинационного рассеяния света определен фазовый состав слоев кремния и германия, который показал, что слои полностью аморфны. На изображениях, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаются упорядоченные в вертикальном направлении аморфные нанокластеры Ge, формирование которых инициировано локальными неоднородностями нанометрового масштаба в первом слое германия, латеральные размеры которых растут от нижнего слоя к верхнему. Ключевые слова: германий, кремний, гетерограница, самоорганизация, нанокластер.
- J. Liu, R. Camacho-Aguilera, J.T. Bessette, X. Sun, X. Wang, Y. Cai, L.C. Kimerling, J. Michel, Thin Solid Films, 520, 3354 (2012). DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.121
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер, ФТП, 34 (11), 1281 (2000). http://journals.ioffe.ru/articles/37278 [Пер. версия: 10.1134/1.1325416]
- E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova, Appl. Phys. Rev., 1, 011302 (2014). DOI: 10.1063/1.4835095
- Ж.В. Смагина, А.В. Новиков, М.В. Степихова, В.А. Зиновьев, Е.Е. Родякина, А.В. Ненашев, С.М. Сергеев, А.В. Перетокин, П.А. Кучинская, М.В. Шалеев, С.А. Гусев, А.В. Двуреченский, ФТП, 54 (8), 708 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49639.9392 [Пер. версия: 10.1134/S1063782620080230]
- О.Н. Горшков, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, М.Е. Шенина, В.Е. Котомина, Д.О. Филатов, Д.А. Серов, Письма в ЖТФ, 46 (2), 44 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075 [Пер. версия: 10.1134/S106378502001023X]
- Z. Liu, T. Zhou, L. Li, Y. Zuo, C. He, C. Li, C. Xue, B. Cheng, Q. Wang, Appl. Phys. Lett., 103, 082101 (2013). DOI: 10.1063/1.4818999
- N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, Z. Remes, J. Stuchlik, Phys. Status Solidi C, 10, 1712 (2013). DOI: 10.1002/pssc.201300362
- Г.К. Кривякин, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Г.Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik, ФТП, 50 (7), 952 (2016). http://journals.ioffe.ru/articles/43297 [Пер. версия: 10.1134/S1063782616070101]
- Г.К. Кривякин, В.А. Володин, А.А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik, ФТП, 51 (10), 1420 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45024.8547 [Пер. версия: 10.1134/S1063782617100128]
- C. Li, J. Ni, X. Sun, X. Wang, Z. Li, H. Cai, J. Li, J. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 045108 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa4f93
- В.А. Володин, Г.К. Кривякин, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, С.В. Гусакова, А.А. Попов, ФТП, 53 (3), 423 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47298.8997 [Пер. версия: 10.1134/S1063782619030217]
- А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, ЖЭТФ, 118 (3), 570 (2000). http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/index/r/118/3/p570?a=list [Пер. версия: 10.1134/1.1320083]
- Е.М. Труханов, С.А. Тийс, Письма в ЖТФ, 45 (22), 28 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.22.48645.17893 [Пер. версия: 10.1134/S1063785019110282]
- J.E. Smith, Jr., M.H. Brodsky, B.I. Crowder, M.I. Nathan, Phys. Rev. Lett., 26, 642 (1971). DOI: 10.1103/PhysRevLett.26.642
- M. Wihl, M. Cardona, J. Tauc, J. Non-Cryst. Solids, 8-10, 172 (1972). DOI: 10.1016/0022-3093(72)90132-9
- A.V. Kolobov, J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000). DOI: 10.1063/1.372279
- D.M. Zhigunov, G.N. Kamaev, P.K. Kashkarov, V.A. Volodin, Appl. Phys. Lett., 113, 023101 (2018). DOI: 10.1063/1.5037008
- M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Cuomo, Phys. Rev. B., 16, 3556 (1977). DOI: 10.1103/PhysRevB.16.3556
- V.A. Volodin, D.I. Koshelev, J. Raman Spectr., 44, 1760 (2013). DOI: 10.1002/jrs.4408
- K.W. Jobson, J.-P.R. Wells, R.E.I. Schropp, D.A. Carder, P.J. Phillips, J.I. Dijkhuis, Phys. Rev. B, 73, 155202 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.73.155202
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
