"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур "кремний на изоляторе" с различной формой базы
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Совместный Узбекско-Индийский проект, UZB-Ind-2021-80
Атамуратов А.Э.1, Жаббарова Б.О. 1, Халиллоев М.M. 1, Юсупов A.2
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: atabek.atamuratov@yahoo.com, bahor1989@mail.ru, x-mahkam@mail.ru, ayus@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 8 марта 2021 г.
Принята к печати: 8 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2021 г.

Моделируется эффект саморазогрева в наномасштабном беспереходном вертикальном полевом транзисторе, изготовленном на основе структур "кремний на изоляторе" с поперечным сечением базы транзистора в форме прямоугольника, трапеции и треугольника. Показано, что для рассматриваемых структур температура в середине транзистора ниже, чем по его боковым граням около истока и стока. Помимо этого при прочих одинаковых условиях температура решетки зависит также от формы поперечного сечения базы. Ключевые слова: эффект саморазогрева, температура решетки, теплопроводность, беспереходный FinFET-транзистор.
  1. I. Ferain, C.A. Colinge, J.P. Colinge, Nature, 479 (7373), 310 (2011). https://doi.org/ 10.1038/ nature10676
  2. А.Э. Абдикаримов, А. Юсупов, А.Э. Атамуратов, Письма в ЖТФ, 44 (21), 22 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.21.46852.17328 [Пер. версия: 10.1134/S1063785018110020]
  3. Y.-L. Yang, W. Zhang, S.-Y. Yan, Y.-H. Yu, Z.-Y. Fang, W.-K. Yeh, Vacuum, 181, 109601 (2020). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109601
  4. W. Ahn, S.H. Shin, C. Jiang, H. Jiang, M.A. Wahab, M.A. Alam, Microelectron. Reliab., 81, 262 (2018). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.12.034
  5. J.P. Campbell, L.C. Yul, K.P. Cheung, J. Qin, J.S. Suehle, A. Oates, K. Sheng, 2009 Proc. IEEE Int. Conf. on IC design and technology (ICICDT) (Austin, USA, 2009), p. 17. DOI: 10.1109/icicdt.2009.5166255
  6. A. Abdikarimov, G. Indalecio, E. Comesana, N. Seoane, K. Kalna, A.J. Garsia-Lourero, A.E. Atamuratov, 17th Int. Workshop on computational electronics (IWCE 2014) (Paris, France, 2014), p. 247. DOI: 10.1109/iwce.2014.6865877
  7. J.P. Colinge, Microelectron. Eng., 84 (9-10), 2071 (2007). https://doi.org/ 10.1016/j.mee.2007.04.038
  8. D. Vasileska, S.M. Goodnick, K. Raleva, 13th Int. Workshop on computational electronics (Beijing, China, 2009). DOI: 10.1109/IWCE.2009.5091146
  9. G. Zhang, J. Lai, S. Zhu, S. Wei, F. Liang, C.-F. Yang, Microelectron. Reliab., 95, 52 (2019). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2019.02.006
  10. R.P. Nelapati, K. Sivasankaran, Microelectron. J., 76, 63 (2018). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.04.015
  11. H. Ferhati, F. Douak, F. Djeffal, Superlatt. Microstruct., 109, 869 (2017). DOI: 10.1016/ j.spmi.2017.06.009
  12. A. Kumar, A. Gupta, S. Rai, Int. J. Electron. Commun., 95, 162 (2018). https://doi.org/10.1016/j.aeue.2018.08.023
  13. http://www.synopsys.com
  14. A. Loureiro, N. Seoane, M.R. Aldegunde, R. Valin, A. Asenov, A. Martinez, K. Kalna, IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst., 30 (6), 841 (2011). DOI: 10.1109/TCAD.2011.2107990
  15. S. Barraud, M. Berthome, R. Coquand, M. Casse, T. Ernst, M.-P. Samson, P. Perreau, K.K. Bourdelle, O. Faynot, T. Poiroux, IEEE Electron Dev. Lett., 33 (9), 1225 (2012). DOI: 10.1109/LED.2012.2203091

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.