Вышедшие номера
Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур "кремний на изоляторе" с различной формой базы
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Совместный Узбекско-Индийский проект, UZB-Ind-2021-80
Атамуратов А.Э.1, Жаббарова Б.О. 1, Халиллоев М.M. 1, Юсупов A.2
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: atabek.atamuratov@yahoo.com, bahor1989@mail.ru, x-mahkam@mail.ru, ayus@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 8 марта 2021 г.
Принята к печати: 8 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2021 г.

Моделируется эффект саморазогрева в наномасштабном беспереходном вертикальном полевом транзисторе, изготовленном на основе структур "кремний на изоляторе" с поперечным сечением базы транзистора в форме прямоугольника, трапеции и треугольника. Показано, что для рассматриваемых структур температура в середине транзистора ниже, чем по его боковым граням около истока и стока. Помимо этого при прочих одинаковых условиях температура решетки зависит также от формы поперечного сечения базы. Ключевые слова: эффект саморазогрева, температура решетки, теплопроводность, беспереходный FinFET-транзистор.