Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур "кремний на изоляторе" с различной формой базы
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Совместный Узбекско-Индийский проект, UZB-Ind-2021-80
Атамуратов А.Э.1, Жаббарова Б.О.
1, Халиллоев М.M.
1, Юсупов A.2
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: atabek.atamuratov@yahoo.com, bahor1989@mail.ru, x-mahkam@mail.ru, ayus@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 8 марта 2021 г.
Принята к печати: 8 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2021 г.
Моделируется эффект саморазогрева в наномасштабном беспереходном вертикальном полевом транзисторе, изготовленном на основе структур "кремний на изоляторе" с поперечным сечением базы транзистора в форме прямоугольника, трапеции и треугольника. Показано, что для рассматриваемых структур температура в середине транзистора ниже, чем по его боковым граням около истока и стока. Помимо этого при прочих одинаковых условиях температура решетки зависит также от формы поперечного сечения базы. Ключевые слова: эффект саморазогрева, температура решетки, теплопроводность, беспереходный FinFET-транзистор.
- I. Ferain, C.A. Colinge, J.P. Colinge, Nature, 479 (7373), 310 (2011). https://doi.org/ 10.1038/ nature10676
- А.Э. Абдикаримов, А. Юсупов, А.Э. Атамуратов, Письма в ЖТФ, 44 (21), 22 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.21.46852.17328 [Пер. версия: 10.1134/S1063785018110020]
- Y.-L. Yang, W. Zhang, S.-Y. Yan, Y.-H. Yu, Z.-Y. Fang, W.-K. Yeh, Vacuum, 181, 109601 (2020). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109601
- W. Ahn, S.H. Shin, C. Jiang, H. Jiang, M.A. Wahab, M.A. Alam, Microelectron. Reliab., 81, 262 (2018). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.12.034
- J.P. Campbell, L.C. Yul, K.P. Cheung, J. Qin, J.S. Suehle, A. Oates, K. Sheng, 2009 Proc. IEEE Int. Conf. on IC design and technology (ICICDT) (Austin, USA, 2009), p. 17. DOI: 10.1109/icicdt.2009.5166255
- A. Abdikarimov, G. Indalecio, E. Comesana, N. Seoane, K. Kalna, A.J. Garsia-Lourero, A.E. Atamuratov, 17th Int. Workshop on computational electronics (IWCE 2014) (Paris, France, 2014), p. 247. DOI: 10.1109/iwce.2014.6865877
- J.P. Colinge, Microelectron. Eng., 84 (9-10), 2071 (2007). https://doi.org/ 10.1016/j.mee.2007.04.038
- D. Vasileska, S.M. Goodnick, K. Raleva, 13th Int. Workshop on computational electronics (Beijing, China, 2009). DOI: 10.1109/IWCE.2009.5091146
- G. Zhang, J. Lai, S. Zhu, S. Wei, F. Liang, C.-F. Yang, Microelectron. Reliab., 95, 52 (2019). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2019.02.006
- R.P. Nelapati, K. Sivasankaran, Microelectron. J., 76, 63 (2018). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.04.015
- H. Ferhati, F. Douak, F. Djeffal, Superlatt. Microstruct., 109, 869 (2017). DOI: 10.1016/ j.spmi.2017.06.009
- A. Kumar, A. Gupta, S. Rai, Int. J. Electron. Commun., 95, 162 (2018). https://doi.org/10.1016/j.aeue.2018.08.023
- http://www.synopsys.com
- A. Loureiro, N. Seoane, M.R. Aldegunde, R. Valin, A. Asenov, A. Martinez, K. Kalna, IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst., 30 (6), 841 (2011). DOI: 10.1109/TCAD.2011.2107990
- S. Barraud, M. Berthome, R. Coquand, M. Casse, T. Ernst, M.-P. Samson, P. Perreau, K.K. Bourdelle, O. Faynot, T. Poiroux, IEEE Electron Dev. Lett., 33 (9), 1225 (2012). DOI: 10.1109/LED.2012.2203091
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
