"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In0.53Ga0.47As
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00516
Аксенов М.С.1,2, Валишева Н.А.1, Ковчавцев А.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: m.se.aksenov@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 февраля 2021 г.
Принята к печати: 17 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2021 г.

Показано, что фторсодержащие анодные слои на поверхности n-In0.53Ga0.47As в отличие от анодных слоев без фтора формируют границу раздела SiO2/InGaAs с открепленным уровнем Ферми, плотность состояний на которой уменьшается в результате отжига при температуре 300oC до значений (2-4)· 1011 и (4-5)·1012 eV-1·cm-2 вблизи дна зоны проводимости и середины запрещенной зоны соответственно. Повышение температуры отжига приводит к обратному увеличению плотности состояний (350o C) и закреплению уровня Ферми (400oC). Ключевые слова: In0.53Ga0.47As, анодный оксид, фтор, вольт-фарадная характеристика, плотность интерфейсных состояний.
  1. M. Hong, H.W. Wan, K.Y. Lin, Y.C. Chang, M.H. Chen, Y.H. Lin, T.D. Lin, T.W. Pi, J. Kwo, Appl. Phys. Lett., 111, 123502 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4992005
  2. A. Dehzangi, M.R. Wee, N. Wichmann, S. Bollaert, M.R. Buyong, B.Y. Majlis, Micro Nano Lett., 9, 180 (2014). https://doi.org/10.1049/mnl.2014.0007
  3. R. Engel-Herbert, Y. Hwang, S. Stemmer, J. Appl. Phys., 108, 124101 (2010). http://dx.doi.org/10.1063/1.3068752
  4. S. Choi, Y. An, C. Lee, J. Song, M.-C. Nguyen, Y.-C. Byun, R. Choi, P.C. McIntyre, H. Kim, Sci. Rep., 7, 9769 (2017). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-09888-6
  5. E. O'Connor, K. Cherkaoui, S. Monaghan, B. Sheehan, I.M. Povey, P.K. Hurley, Appl. Phys. Lett., 110, 032902 (2017). http://dx.doi.org/10.1063/1.4973971
  6. S. Eom, M.-W.Kong, K.-S. Seo, in Recent advances in nanophotonics --- fundamentals and applications (IntechOpen, 2020), ch. 7. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.92424
  7. S.K. Kim, D.-M. Geum, J.-P. Shim, C.Z. Kim, H.-J. Kim, J.D. Song, W.J. Choi, S.-J. Choi, D.H. Kim, S. Kim, D.M. Kim, Appl. Phys. Lett., 110, 043501 (2017). http://dx.doi.org/10.1063/1.4974893
  8. C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi, IEEE Trans. Electron Dev., 64, 2519 (2017). http://dx.doi.org/10.1109/TED.2017.2696741
  9. Y.-T. Chen, H. Zhao, Y. Wang, F. Xue, F. Zhou, J C. Lee, Appl. Phys. Lett., 96, 103506 (2010). http://dx.doi.org/10.1063/1.3357434
  10. Y.-T. Chen, H. Zhao, Y. Wang, F. Xue, F. Zhou, J.C. Lee, Appl. Phys. Lett., 95, 013501 (2009). http://dx.doi.org/10.1063/1.3173820
  11. M.S. Aksenov, A.Yu. Kokhanovskii, P.A. Polovodov, S.F. Devyatova, V.A. Golyashov, A.S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, S.E. Khandarkhaeva, A.K. Gutakovskii, N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett., 107, 173501 (2015). http://dx.doi.org/10.1063/1.4934745
  12. N.A. Valisheva, A.V. Bakulin, M.S. Aksenov, S.E. Kulkova, J. Phys. Chem. C, 121, 20744 (2017). http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b03757
  13. R.K. Ahrenkiel, D.J. Dunlavy, Solid-State Electron., 27, 485 (1984). https://doi.org/10.1016/0038-1101(84)90157-6
  14. A.S. Barriere, G. Counterier, H. Guegan, T. Seguelong, A. Thabti, P. Alnot, J. Chazelas, Appl. Surf. Sci., 41/42, 383 (1989). https://doi.org/10.1016/0169-4332(89)90088-3
  15. D.V. Dmitriev, N.A. Valisheva, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 475, 012022 (2019). https://doi.org/10.1088/1757-899X/475/1/012022
  16. A.P. Kovchavtsev, A.V. Tsarenko, A.A. Guzev, M.S. Aksenov, V.G. Polovinkin, A.E. Nastovjak, N.A. Valisheva, J. Appl. Phys., 118, 125704 (2015). http://dx.doi.org/10.1063/1.4931772
  17. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/index.html
  18. L.M. Terman, Solid-State Electron., 5, 285 (1962). https://doi.org/10.1016/0038-1101(62)90111-9
  19. E. O'Connor, B. Brennan, V. Djara, K. Cherkaoui, S. Monaghan, S.B. Newcomb, R. Contreras, M. Milojevic, G. Hughes, M.E. Pemble, R.M. Wallace, P.K. Hurley, J. Appl. Phys., 109, 024101 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3533959

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.