Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии
Российский научный фонд, 20-12-00193
Солнышкин А.В.
1, Сергеева О.Н.
1, Шустова О.А.
1, Шарофидинов Ш.Ш.
2, Старицын М.В.
3, Каптелов Е.Ю.
2, Кукушкин С.А.
4, Пронин И.П.
21Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей", Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.solnyshkin@mail.ru, o_n_sergeeva@mail.ru, olenka_shustova@mail.ru, shukrillo71@mail.ru, ms_145@mail.ru, kaptelov@mail.ioffe.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2020 г.
Принята к печати: 26 января 2021 г.
Выставление онлайн: 8 марта 2021 г.
Исследованы микроструктура, диэлектрические и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN, выращенных на подложках SiC/(111)Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного (в процессе роста слоев) образования системы гетеропереходов. На основе эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN получен материал, обладающий на данный момент одним из самых больших значений пирокоэффициентов для кристаллов (или тонких пленок) нитрида алюминия. Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид галлия, твердые растворы нитридов алюминия и галлия, карбид кремния на кремнии, хлорид-гидридная эпитаксия, диэлектрические свойства, пироэлектрические свойства.
- M.S. Shur, in Noise in devices and circuits III, Proc. SPIE, 5844, 248 (2005). DOI: 10.1117/12.611449
- H.-P. Lee, J. Perozek, L.D. Rosario, C. Bayram, Sci. Rep., 6, 37588 (2016). DOI: 10.1038/srep37588
- S. Trolier-McKinstry, P. Muralt, J. Electroceram., 12 (1-2), 7 (2004). DOI: 10.1023/B:JECR.0000033998.72845.51
- P. Muralt, J. Am. Ceram. Soc., 91 (5), 1385 (2008). DOI: 10.1111/j.1551-2916.2008.02421
- О.Н. Сергеева, А.В. Солнышкин, Д.А. Киселев, Т.С. Ильина, С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, Е.Ю. Каптелов, И.П. Пронин, ФТТ, 61 (12), 2379 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48558 [Пер. версия: 10.1134/S1063783419120485]
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник, ФТТ, 58 (4), 60 (2016). [Пер. версия: 10.1134/S106378341604003X]
- С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, А.В. Осипов, А.С. Гращенко, А.В. Кандаков, Е.В. Осипова, К.П. Котляр, Е.В. Убыйвовк, ФТТ, 63 (3), 363 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.03.50587.234
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- K.D. Baklanova, A.V. Solnyshkin, I.L. Kislova, S.I. Gudkov, A.N. Belov, V.I. Shevyakov, R.N. Zhukov, D.A. Kiselev, M.D. Malinkovich, Phys. Status Solidi A., 215 (5), 1700690 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201700690
- I.P. Pronin, S.A. Kukushkin, V.V. Spirin, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov, D.M. Dolgintsev, V.P. Pronin, D.A. Kiselev, O.N. Sergeeva, Mater. Phys. Mech., 30, 20 (2017). http://www.ipme.ru/e-journals/MPM/no\_13017/ MPM130\_02\_pronin.pdf
- V.G. Talalaev, J.W. Tomm, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.V. Shtrom, K.P. Kotlyar, F. Mahler, J. Schilling, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, Nanotechnology, 31 (29), 294003 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/ab83b6
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
