"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Г/З, 075-03-2020-191/5
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), "Аспиранты", 19-32-90184
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), "мк", 18-29-20016
Рыков А.В. 1, Крюков Р.Н. 1, Самарцев И.В.1, Юнин П.А.2, Шенгуров В.Г.1, Зайцев А.В.1, Байдусь Н.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: kriukov.ruslan@yandex.ru, rykovsc@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 13 января 2021 г.
Принята к печати: 17 января 2021 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2021 г.

Исследованы гетероструктуры на основе GaAs, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и гидридов на виртуальных подложках Ge/Si с использованием зародышевого слоя AlxGa1-xAs с различным содержанием алюминия x в твердом растворе. Показано влияние x на плотность и размеры антифазных доменов, выходящих на поверхность образцов, и на оптические свойства слоя GaAs. Для роста использованы подложки (100) с небольшим случайным отклонением от номинальной кристаллографической ориентации 0.7o к [110]. Ключевые слова: гетероэпитаксия, А3В5 на кремнии, антифазные дефекты, фотолюминесценция.
  1. D. Liang, E. Bowers, Nature Photon., 4, 511 (2010). DOI: 10.1038/nphoton.2010.167
  2. M. Martin, T. Baron, Y. Bogumulowicz, H. Deng, K. Li, M. Tang, H. Liu, GaAs compounds heteroepitaxy on silicon for opto and nano electronic applications, in Post-transition metals (IntechOpen, 2020). DOI: 10.5772/intechopen.94609
  3. M. Liao, S. Chen, Z. Liu, Y. Wang, L. Ponnampalam, Z. Zhou, J. Wu, M. Tang, S. Shutts, Z. Liu, P.M. Smowton, S. Yu, A. Seeds, H. Liu, Photon. Res., 6, 1062 (2018). DOI: 10.1364/PRJ.6.001062
  4. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov, Opt. Express, 25, 16754 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.016754
  5. N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik, Crystals, 8, 311 (2018). DOI: 10.3390/cryst8080311
  6. Y. Bogumilowicz, J.M. Hartmann, R. Cipro, R. Alcotte, M. Martin, F. Bassani, J. Moeyaert, T. Baron, J.B. Pin, X. Bao, Z. Ye, E. Sanchez, Appl. Phys. Lett., 107, 212105 (2015). DOI: 10.1063/1.4935943
  7. C. Cornet, S. Charbonnier, I. Lucci, L. Chen, A. Letoublon, A. Alvarez, K. Tavernier, T. Rohel, R. Bernard, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, Y. Leger, M. Bahri, G. Patriarche, L. Largeau, A. Ponchet, P. Turban, N. Bertru, Phys. Rev. Mater., 4, 053401 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.053401
  8. A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, M.V. Ved', N.V. Baidus, A.V. Zdoroveyshchev, V.G. Shengurov, S.A. Denisov, J. Phys.: Conf. Ser., 1124, 022037 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/1124/2/022037
  9. S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov, J. Phys.: Conf. Ser., 541, 012026 (2014). DOI: 10.1088/1742-6596/541/1/012026

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.