Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Г/З, 075-03-2020-191/5
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), "Аспиранты", 19-32-90184
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), "мк", 18-29-20016
Рыков А.В.
1, Крюков Р.Н.
1, Самарцев И.В.
1, Юнин П.А.
2, Шенгуров В.Г.
1, Зайцев А.В.
1, Байдусь Н.В.
11Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: kriukov.ruslan@yandex.ru, rykovsc@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 13 января 2021 г.
Принята к печати: 17 января 2021 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2021 г.
Исследованы гетероструктуры на основе GaAs, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и гидридов на виртуальных подложках Ge/Si с использованием зародышевого слоя AlxGa1-xAs с различным содержанием алюминия x в твердом растворе. Показано влияние x на плотность и размеры антифазных доменов, выходящих на поверхность образцов, и на оптические свойства слоя GaAs. Для роста использованы подложки (100) с небольшим случайным отклонением от номинальной кристаллографической ориентации 0.7o к [110]. Ключевые слова: гетероэпитаксия, А3В5 на кремнии, антифазные дефекты, фотолюминесценция.
- D. Liang, E. Bowers, Nature Photon., 4, 511 (2010). DOI: 10.1038/nphoton.2010.167
- M. Martin, T. Baron, Y. Bogumulowicz, H. Deng, K. Li, M. Tang, H. Liu, GaAs compounds heteroepitaxy on silicon for opto and nano electronic applications, in Post-transition metals (IntechOpen, 2020). DOI: 10.5772/intechopen.94609
- M. Liao, S. Chen, Z. Liu, Y. Wang, L. Ponnampalam, Z. Zhou, J. Wu, M. Tang, S. Shutts, Z. Liu, P.M. Smowton, S. Yu, A. Seeds, H. Liu, Photon. Res., 6, 1062 (2018). DOI: 10.1364/PRJ.6.001062
- N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov, Opt. Express, 25, 16754 (2017). DOI: 10.1364/OE.25.016754
- N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik, Crystals, 8, 311 (2018). DOI: 10.3390/cryst8080311
- Y. Bogumilowicz, J.M. Hartmann, R. Cipro, R. Alcotte, M. Martin, F. Bassani, J. Moeyaert, T. Baron, J.B. Pin, X. Bao, Z. Ye, E. Sanchez, Appl. Phys. Lett., 107, 212105 (2015). DOI: 10.1063/1.4935943
- C. Cornet, S. Charbonnier, I. Lucci, L. Chen, A. Letoublon, A. Alvarez, K. Tavernier, T. Rohel, R. Bernard, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, Y. Leger, M. Bahri, G. Patriarche, L. Largeau, A. Ponchet, P. Turban, N. Bertru, Phys. Rev. Mater., 4, 053401 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.053401
- A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, M.V. Ved', N.V. Baidus, A.V. Zdoroveyshchev, V.G. Shengurov, S.A. Denisov, J. Phys.: Conf. Ser., 1124, 022037 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/1124/2/022037
- S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov, J. Phys.: Conf. Ser., 541, 012026 (2014). DOI: 10.1088/1742-6596/541/1/012026
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
