Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный транспорт в модельных квазидвумерных ван-дер-ваальсовых наноустройствах
Комитет науки Министерства образования и науки Республики Казахстан, Грантовое финансирование для молодых ученых, AP08052562
Сергеев Д.М.
1,2, Дуйсенова А.Г.1
1Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова, Актобе, Казахстан 
2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
Email: serdau@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 1 января 2021 г.
Принята к печати: 2 января 2021 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2021 г.
В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций исследован электронный транспорт в модельном наноустройстве, состоящем из комбинации связанных между собой ван-дер-ваальсовой связью графена, силицена и дисульфида молибдена. Рассчитаны вольт-амперные, dI/dV-характеристики и спектры пропускания наноустройств. Выявлено, что комбинация силицена и дисульфида молибдена образует новую наносистему с металлическими свойствами, которые проявляются в ее электротранспортных характеристиках. Показано, что гибридная наноструктура графен-MoS2-силицен обладает выпрямляющими свойствами из-за образования барьера Шоттки, а на ее вольт-амперной характеристике при положительном напряжении возникают ступеньки кулоновского происхождения. Ключевые слова: электронный транспорт, графен, силицен, дисульфид молибдена (MoS2), вольт-амперная характеристика, дифференциальная проводимость.
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov, Science, 306, 666 (2004). DOI: 10.1126/science.1102896
- Y.-Ch. Lin, Properties of synthetic two-dimensional materials and heterostructures (Springer International Publ., 2018). DOI: 10.1007/978-3-030-00332-6
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva, Nature, 499, 419 (2013). DOI: 10.1038/nature12385
- D.W. Brenner, O.A. Shenderova, J.A. Harrison, S.J. Stuart, B. Ni, S.B. Sinnott, J. Phys.: Condens. Matter., 14, 783 (2002). DOI: 10.1088/0953-8984/14/4/312
- J-W. Jiang, H.S. Park, T. Rabczuk, J. Appl. Phys., 114, 064307 (2013). DOI: 10.1063/1.4818414
- S. Smidstrup, T. Markussen, P. Vancraeyveld, J. Wellendorff, J. Schneider, T. Gunst, B. Verstichel, D. Stradi, P.A. Khomyakov, U.G. Vej-Hansen, M.-E. Lee, S.T. Chill, F. Rasmussen, G. Penazzi, F. Corsetti, A. Ojanpera, K. Jensen, M.L.N. Palsgaard, U. Martinez, A. Blom, M. Brandbyge, K. Stokbro, J. Phys.: Condens. Matter., 32, 015901 (2020). DOI: 10.1088/1361-648X/ab4007
- Д.М. Сергеев, ЖТФ, 90 (4), 598 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.04.49083.79-19 [Пер. версия: 10.1134/S1063784220040180]
- D.M. Sergeyev, J. Nano-Electron. Phys., 10, 03018 (2018). DOI: 10.21272/jnep.10(3).03018
- X. Li, S. Wu, S. Zhou, Z. Zhu, Nanoscale Res. Lett., 9, 110 (2014). DOI: 10.1186/1556-276X-9-110
- H. Grabert, M.H. Devoret, Single charge tunneling: Coulomb blockade phenomena in nanostructures (Springer Science, 1992). DOI: 10.1007/978-1-4757-2166-9
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
