Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
Богданов С.А.
1, Бакаров А.К.
2, Журавлев К.С.
2, Лапин В.Г.
1, Лукашин В.М.
1, Пашковский А.Б.
1, Рогачёв И.А.
1, Терёшкин Е.В.
1, Щербаков С.В.
11АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bogdanov_sa@mail.ru, bakarov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru, lapin@istokmw.ru, solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 29 декабря 2020 г.
Принята к печати: 29 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.
Представлены результаты исследования полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн с T-образным затвором длиной 0.14 μm на псевдоморфных гетероструктурах Al0.3Ga0.7As-In0.22Ga0.78As-Al0.3Ga0.7As с дополнительными потенциальными барьерами на основе двустороннего донорно-акцепторного легирования канала. На частоте 40 GHz в широком диапазоне напряжений на затворе достигнута величина максимально стабильного коэффициента усиления более 15 dB. Максимальная частота генерации прибора составляет около 250 GHz, удельная плотность тока при открытом канале - около 0.7 А/mm, пробивное напряжение затвор-сток в зависимости от исполнения составляет 22-31 V. Ключевые слова: дополнительные потенциальные барьеры, полевой транзистор, коэффициент усиления.
- H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith, Power amplifiers performance survey 2000-present [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://gems.ece.gatech.edu/PA\_survey.html
- B. Romanczyk, S.Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45 (2018). DOI: 10.1109/TED.2017.2770087
- Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
- V. Camarchia, R. Quaglia, A. Piacibello, D.P. Nguyen, H. Wang, A. Pham, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 68 (7), 199 (2020). DOI: 10.1109/TMTT.2020.2989792
- X. Mei, W. Yoshida, M. Lange, J. Lee, J. Zhou, P. Liu, K. Leong, A. Zamora, J. Padilla, S. Sarkozy, R. Lai, W.R. Deal, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (4), 327 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2407193
- B.E. Foutz, S.K. O'Leary, M.S. Shur, L.F. Eastman, J. Appl. Phys., 85 (11), 7727 (1999). DOI: 10.1063/1.370577
- А.Б. Пашковский, В.М. Лукашин, Я.Б. Мартынов, В.Г. Лапин, А.А. Капралова, И.А. Анисимов, Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, N 4 (523), 5 (2014)
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов, Письма в ЖТФ, 38 (17), 84 (2012)
- А.А. Борисов, К.С. Журавлев, С.С. Зырин, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, A.A. Маковецкая, В.И. Новоселец, А.Б. Пашковский, А.И. Торопов, Н.Д. Урсуляк, С.В. Щербаков, Письма в ЖТФ, 42 (16), 41 (2016)
- А.Б. Пашковский, С.И. Новиков, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, Я.Б. Мартынов, Письма в ЖТФ, 44 (17) 103 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46577.17372
- Д.Ю. Протасов, Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Е.В. Ерофеев, К.С. Журавлев, Письма в ЖТФ, 44 (6), 77 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098
- А.Б. Пашковский, А.С. Богданов, В.М. Лукашин, С.И. Новиков, Микроэлектроника, 49 (3), 210 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920030059
- И.С. Василевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, В сб. Мокеровские чтения. 8-я Междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (НИЯУ МИФИ, М., 2017), с. 28.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
