Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 6 » Статья стр. 26
<<<>>>
Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
DOI: 10.21883/PJTF.2021.06.50754.18560
Грант Президента Российской Федерации, МК-638.2019.8
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), № 19-08-00848
Баранов Е.А.1, Константинов В.О.1, Щукин В.Г.1, Замчий А.О. 1,2, Меркулова И.Е.1,2, Лунёв Н.А.1,2, Володин В.А.2,3
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: itpbaranov@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 30 ноября 2020 г.
Принята к печати: 6 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 12 января 2021 г.
PDF версия
Впервые получен поликристаллический кремний (poly-Si) в результате воздействия электронного пучка на пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 (a-SiO0.5:H) и толщиной 580 nm. Ускоряющее напряжение электронного пучка составляло 2000 V, а ток пучка - 100 mA. Получены спектры комбинационного рассеяния света пленок кремния после отжига в зависимости от времени воздействия электронного пучка на исходный материал. Показано, что в результате отжига формируется поликристаллический кремний, напряжения в котором в зависимости от времени воздействия изменяются от сжатия до растяжения. Ключевые слова: тонкие пленки субоксида кремния, электронно-пучковый отжиг, поликристаллический кремний.
  1. L. Wang, L. Sun, D. Han, Y. Wang, M. Chan, S. Zhang, J. Display Technol., 10 (4), 317 (2014). DOI: 10.1109/JDT.2014.2301554
  2. A. Rohatgi, K. Zhu, J. Tong, D.H. Kim, E. Reichmanis, B. Rounsaville, V. Prakash, Y.W. Ok, IEEE J. Photovolt., 10 (2), 417 (2020). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2019.2963564
  3. Y. Do, D.Y. Jeong, S. Lee, S. Kang, S. Jang, J. Jang, Adv. Eng. Mater., 22 (5), 1901430 (2020). DOI: 10.1002/adem.201901430
  4. K. Kurata, K. Ohdaira, Jpn. J. Appl. Phys., 58 (SB), SBBF10 (2019). DOI: 10.7567/1347-4065/aafb51
  5. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa, S. Higashi, Jpn. J. Appl. Phys., 56 (6S2), 06HE05 (2017). DOI: 10.7567/JJAP.56.06HE05
  6. D. Amkreutz, J. Haschke, S. Kuhnapfel, P. Sonntag, B. Rech, IEEE J. Photovolt., 4 (6), 1496 (2014). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2014.2358799
  7. S.W. Lee, J.S. Kang, K.C. Park, J. Korean Phys. Soc., 68 (4), 528 (2016). DOI: 10.3938/jkps.68.52
  8. В.Г. Щукин, В.О. Константинов, В.С. Морозов, ЖТФ, 88 (6), 914 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46025.2544
  9. A.O. Zamchiy, E.A. Baranov, I.E. Merkulova, S.Y. Khmel, E.A. Maximovskiy, J. Non-Cryst. Solids, 518, 43 (2019). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2019.05.015
  10. J. Kennedy, J. Leveneur, F. Fang, A. Markwitz, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 332, 421 (2014). DOI: 10.1016/j.nimb.2014.02.110
  11. C.W. Byun, S.W. Son, Y.W. Lee, H.M. Kang, S.A. Park, W.C. Lim, T. Li, S.K. Joo, J. Electrochem. Soc., 159 (4), J115 (2012). DOI: 10.1149/2.078204jes
  12. J.H. Park, H.Y. Kim, K.H. Seok, H.J. Chae, S.K. Lee, Y.H. Lee, Z. Kiaee, S.K. Joo, RSC Adv., 5 (69), 55909 (2015). DOI: 10.1039/C5RA09194B
  13. V.V. Bolotov, M.D. Efremov, V.A. Volodin, Thin Solid Films, 248 (2), 212 (1994). DOI: 10.1016/0040-6090(94)90013-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme