"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Министерства науки и высшего образования РФ в рамках базовой части государственного задания, 0729-2020-0057
Оболенский С.В. 1, Волкова Е.В. 1, Логинов А.Б. 2, Логинов Б.А. 3, Тарасова Е.А. 1, Пузанов А.С. 1, Королев С.А. 4
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru, katekiss@mail.ru, b-loginov@mail.ru, tarasova@rf.unn.ru, aspuzanov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 25 ноября 2020 г.
Принята к печати: 26 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 3 января 2021 г.

Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических параметров и морфологии поверхности GaAs-структур кольцевых и круговых диодов Шоттки до и после облучения нейтронами с энергией ~ 1 MeV. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены объемные радиационные дефекты. По результатам вольт-фарадных измерений определена концентрация электронов и оценена их подвижность до и после облучения. На основе результатов, полученных с применением совокупности данных методов, предложена методика определения средних размеров областей пространственного заряда кластеров радиационных дефектов. Ключевые слова: кластеры радиационных дефектов, вольт-фарадный метод, атомно-силовая микроскопия.
  1. Т.М. Агаханян, Е.Р. Аствацатурьян, П.К. Скоробогатов, Радиационные эффекты в интегральных микросхемах (Энергоатомиздат, М., 1989)
  2. B.R. Gossiсk, J. Appl. Phys., 30 (8), 1214 (1959). https://doi.org/10.1063/1.1735295
  3. C.В.Оболенский, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 7, 53 (2003)
  4. С.В. Оболенский, Микроэлектроника, 33 (2), 153 (2004)
  5. В.А. Скуратов, А.Е. Ефимов, Д.Л. Загорский, ФТТ, 44 (1), 165 (2002),
  6. Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин, ФТП, 50 (3), 331 (2016)
  7. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Наука, Новосибирск, 1977)
  8. A.B. Loginov, R.R. Ismagilov, J. Nanophoton., 11 (3), 1 (2017). https://doi.org/10.1117/1.JNP.11.032509
  9. Е.С. Вентцель, Теория вероятностей (Наука, М., 1969)
  10. И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, Вестн. ННГУ. Сер.: Физика твердого тела, N 1(2), 64 (2014)
  11. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, в сб. Тр. Всерос. конф. "Радиационная стойкость электронных систем" ("Стойкость-2016") (НИЯУ МИФИ, М., 2016), с. 69--70
  12. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, в сб. Тезисы докладов VI Всерос. конф. "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (ННГУ, Н. Новгород, 2016), с. 89--90
  13. J.P. Biersack, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 27 (1), 21 (1987). https://doi.org/10.1016/0168-583X(87)90005-X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.