Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (AlxGa1-x)2O3, полученных методом Чохральского
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 19-19-00686
Бауман Д.А.
1, Пьянкова Л.А.
2, Кремлева А.В.
1, Спиридонов В.А.
1, Панов Д.Ю.
1, Закгейм Д.А.
1, Бахвалов А.С.
2, Одноблюдов М.А.
1, Романов А.Е.
1, Бугров В.Е.
11Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2АО "Научные приборы", Санкт-Петербург, Россия
Email: dabauman@itmo.ru, lyuba_pyan@mail.ru, bakhvalov@sinstr.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 17 ноября 2020 г.
Принята к печати: 21 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 3 января 2021 г.
С помощью рентгенофлуоресцентного и рентгенодифракционного картирования, а также растровой электронной микроскопии проведено исследование распределения алюминия в приповерхностном слое кристалла (AlxGa1-x)2O3, полученного методом Чохральского с использованием сапфировой затравки. Показано, что распределение алюминия коррелирует с изменением физического уширения дифракционных максимумов системы плоскостей (h00) кристалла и связано с удаленностью от зоны затравления. Ключевые слова: рентгенофлуоресцентное и рентгеноструктурное картирование, метод Чохральского, широкозонные полупроводники.
- J. Zhang, J. Shi, D.-C. Qi, L. Chen, K.H.L. Zhang, APL Mater., 8 (2), 020906 (2020). DOI: 10.1063/1.5142999
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no\_14416/06\_14416\_stepanov.pdf
- В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников, Письма в ЖТФ, 45 (21), 51 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48476.17991
- Д.А. Закгейм, Д.Ю. Панов, В.А. Спиридонов, А.В. Кремлёва, А.М. Смирнов, Д.А. Бауман, А.Е. Романов, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, Письма в ЖТФ, 46 (22), 43 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499
- Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann, J. Cryst. Growth, 404, 184 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021
- A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (12), 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
- R.C.R. Santos, E. Longhinotti, V.N. Freire, R.B. Reimberg, E.W.S. Caetano, Chem. Phys. Lett., 637, 172 (2015). DOI: 10.1016/j.cplett.2015.08.004
- Y. Zhang, A. Neal, Z. Xia, C. Joishi, J.M. Johnson, Y. Zheng, S. Bajaj, M. Brenner, D. Dorsey, K. Chabak, G. Jessen, J. Hwang, S. Mou, J.P. Heremans, S. Rajan, Appl. Phys. Lett., 112 (17), 173502 (2018). DOI: 10.1063/1.5025704
- Q. Feng, X. Li, G. Han, L. Huang, F. Li, W. Tang, J. Zhang, Y. Hao, Opt. Mater. Express, 7 (4), 1240 (2017). DOI: 10.1364/ome.7.001240
- P.N. Butenko, D.I. Panov, A.V. Kremleva, D.A. Zakgeim, A.V. Nashchekin, I.G. Smirnova, D.A. Bauman, A.E. Romanov, V.E. Bougrov, Mater. Phys. Mech., 42 (6), 802 (2019). DOI: 10.18720/MPM.4262019\_12
- W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, Q. Hu, J. Zhang, Q. Feng, Y. Haob, X. Tao, CrystEngComm, 19 (34), 5122 (2017). DOI: 10.1039/c7ce01076a
- S. Rafique, L. Han, A.T. Neal, S. Mou, M.J. Tadjer, R.H. French, H. Zhao, Appl. Phys. Lett., 109 (13), 132103 (2016). DOI: 10.1063/1.4963820
- С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев, Рентгенографический и электронно-оптический анализ (МИСИС, М., 2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
