Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 4 » Статья стр. 33
<<<>>>
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
DOI: 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605
Переводная версия: 10.1134/S1063785021020309
Министерство науки и высшего образования РФ , 0721-2020-0038
Войцеховский А.В.1, Несмелов С.Н.1, Дзядух С.М.1, Варавин В.С.2, Дворецкий С.А.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Сидоров Г.Ю.1,2, Якушев М.В.2, Марин Д.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nesm69@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2020 г.
Принята к печати: 9 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 17 декабря 2020 г.
PDF версия
Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов. Ключевые слова: Hg0.78Cd0.22Te, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структура, адмиттанс.
  1. A. Rogalski, Infrared and terahertz detectors (Boca Raton: CRC Press, Taylor \& Francis Group, 2019)
  2. N. Baier, C. Cervera, O. Gravrand, L. Mollard, C. Lobre, G. Destefanis, G. Bourgeois, J.P. Zanatta, O. Boulade, V. Moreau, J. Electron. Mater., 44 (9), 3144 (2015). DOI: 10.1007/s11664-015-3851-0
  3. I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, O.I. Fitsych, O.Y. Bonchyk, H.V. Savytskyy, K.D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, Infrared Phys. Technol., 81, 52 (2017). DOI: 10.1016/j.infrared.2016.12.006
  4. C. Shi, C. Lin, Y. Wei, L. Chen, M. Zhu, Appl. Opt., 55 (34), D101 (2016). DOI: 10.1364/AO.55.00D101
  5. E.H. Nicollian, J.R. Brews, MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. (Wiley-Interscience, N.Y., 1982)
  6. V.N. Ovsyuk, A.V. Yartsev, Proc. SPIE, 6636, 663617 (2007). DOI: 10.1117/12.742637
  7. A.P. Kovchavtsev, G.Y. Sidorov, A.E. Nastovjak, A.V. Tsarenko, I.V. Sabinina, V.V. Vasilyev, J. Appl. Phys., 121 (12), 125304 (2017). DOI: 10.1063/1.4978967
  8. Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Д.В. Марин, М.В. Якушев, Письма в ЖТФ, 46 (15), 14 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.15.49741.18347
  9. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, J. Phys. Chem. Solids, 102, 42 (2017). DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
  10. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Прикладная физика, N 3, 15 (2018)
  11. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, Opto-Electron. Rev., 22 (4), 236 (2014). DOI: 10.2478/s11772-014-0198-7
  12. A.G. Korotaev, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, O.I. Fitsych, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, O.Yu. Bonchyk, H.V. Savytskyy, Z. Swiatek, J. Morgiel, Surf. Coat. Technol., 393, 125721 (2020). DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.125721
  13. W. van Gelder, E.H. Nicollian, J. Electrochem. Soc., 118 (1), 138 (1971). DOI: 10.1149/1.2407927
  14. T. Nakagawa, H. Fujisada, Appl. Phys. Lett., 31 (5), 348 (1977). DOI: 10.1063/1.89695
  15. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, G.Y. Sidorov, Vacuum, 158, 136 (2018). DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.09.054

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme