Изучена динамика изменения кристаллической структуры, элементного и химического состава поверхностных слоев Si, имплантированного ионами Na⁺, Rb⁺ и Cs⁺, при поэтапном отжиге при различных температурных режимах. Показано, что в случае ионов Na⁺ после прогрева при температуре T=900 K на поверхности образуется пленка NaSi₂, при T=1000 K - монослойное покрытие NaSi₂, а при T=1100 K поверхность и приповерхностные слои Si полностью очищаются от атомов легирующего элемента, кислорода и углерода. Ключевые слова: ионная имплантация, силицид металла, эпитаксиальные слои, нанопленки, отжиг, дифракция быстрых электронов, монослойные покрытия, доза ионов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.