"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов
Умирзаков Б.Е. 1,2, Исаханов З.А. 2, Аллаёрова Г.Х. 1, Ёркулов Р.М.2
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: be.umirzakov@gmail.com, za.isakhanov@gmail.com, allayarovagulmira3011@gmail.com, ruyo1990@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 17 сентября 2020 г.
Принята к печати: 17 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 30 октября 2020 г.

Изучена динамика изменения кристаллической структуры, элементного и химического состава поверхностных слоев Si, имплантированного ионами Na+, Rb+ и Cs+, при поэтапном отжиге при различных температурных режимах. Показано, что в случае ионов Na+ после прогрева при температуре T=900 K на поверхности образуется пленка NaSi2, при T=1000 K - монослойное покрытие NaSi2, а при T=1100 K поверхность и приповерхностные слои Si полностью очищаются от атомов легирующего элемента, кислорода и углерода. Ключевые слова: ионная имплантация, силицид металла, эпитаксиальные слои, нанопленки, отжиг, дифракция быстрых электронов, монослойные покрытия, доза ионов.
  1. Л. Ченг, К. Плог, Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Ж.И. Алфёрова, Ю.В. Шмарцева (Мир, М., 1989)
  2. В.В. Золотарев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов, ФТП, 47 (1), 124 (2013). http://journals.ioffe.ru/articles/4885
  3. М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скочков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко, ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18 [Пер. версия: 10.1134/S106378421907020X]
  4. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop, D.H. Levi, A.W.Y. Ho-Baillie, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 25 (1), 3 (2017). https://doi.org/10.1002/pip.2855
  5. P.R.C. Kent, A. Zunger, Phys. Rev. B, 64 (11), 115208 (2001). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.115208
  6. В.И. Рудаков, Ю.И. Денисенко, В.В. Наумов, С.Г. Симакин, Письма в ЖТФ, 37 (3), 36 (2011). http://journals.ioffe.ru/articles/12465
  7. S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov, Phys. Status Solidi C, 12 (1-2), 89 (2015). https://doi.org/10.1002/pssc.201400156
  8. B.E. Umirzakov, T.S. Pugacheva, A.T. Tashatov, D.A. Tashmukhamedova, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 166-167, 572 (2000). https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)01151-9
  9. З.А. Исаханов, З.Э. Мухтаров, Б.Е. Умирзаков, М.К. Рузибаева, ЖТФ, 81 (4), 117 (2011). [Пер версия: https://doi.org/10.1134/S1063784211040177]
  10. Y.S. Ergashov, B.E. Umirzakov, G.Kh. Allayarova, Mater. Sci. Appl., 9 (12), 965 (2018). https://doi.org/10.4236/msa.2018.912069
  11. Х.Х. Болтаев, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 4, 24 (2014). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1027451014010108]
  12. С.Б. Донаев, Письма в ЖТФ, 46 (16), 16 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.16.49847.18293 [Пер. версия: 10.1134/S1063785020080192]
  13. А.Г. Озеров, А.А. Алтухов, В.В. Иванов, Е.А. Титова, Техника средства связи, сер. ТПО, N 1, 111 (1987)
  14. L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla, J. Appl. Phys., 96 (11), 5947 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1808484
  15. Б.Е. Умирзаков, С.Ж. Ниматов, Д.С. Руми, Структура и свойства многослойных нанопленочных систем, созданных на основе кремния (Infinity Group, Ташкент, 2013)
  16. J. Matsuo, T. Aoki, T. Seki, in 2007 Int. Workshop on junction technology (Kyoto, 2007), p. 53--54. DOI: 10.1109/iwjt.2007.4279945
  17. С.Ж. Ниматов, Б.Е. Умирзаков, Ф.Я. Худайкулов, Д.С. Руми, ЖТФ, 89 (10), 1611 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.10.48181.414-18 [Пер. версия: 10.1134/S1063784219100153]
  18. Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Г.Х. Аллаярова, Ж.Ш. Содикжанов, Письма в ЖТФ, 45 (7), 49 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47539.17650 [Пер. версия: 10.1134/S1063785019040175]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.