Впервые представлены результаты исследования условий получения атомарно-гладкой поверхности подложек GaSb. Экспериментально показано, что можно улучшить качество поверхности образцов, изменяя условия отжига. Наименьшая шероховатость 1.3 nm получена при времени отжига 16 min при температуре 650^oC в потоке триметилсурьмы и H₂. Ключевые слова: отжиг, подложка, GaSb, шероховатость, атомно-силовой микроскоп, фотолюминесценция.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.