"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к p-InP, легированным Zn
Российский научный фонд, проект 17-79-30035
Эполетов В.С.1, Маричев А.Е.1, Пушный Б.В.1, Салий Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vadep@yandex.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 6 августа 2020 г.
Принята к печати: 7 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2020 г.

Представлены результаты использования подконтактных слоев с шириной запрещенной зоны Eg от 0.35 до 0.8 eV для получения низкоомных электрических контактов к p-InP. Получена экспериментальная зависимость контактного сопротивления от Eg подконтактного материала InxGa1-xAs. Ключевые слова: электрические контакты, подконтактные слои, уменьшение сопротивления.
  1. Yu A.Y.C. // Solid-State Electron. 1970. V. 13. N 2. P. 239--247. DOI: 10.1016/0038-1101(70)90056-0
  2. Katz A., Dautremont-Smith W.C., Chu S.N.G., Thomas P.M., Koszi L.A., Lee J.W., Riggs V.G., Brown R.L., Napholtz S.G., Zilko J.L., Lahav A. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 23. P. 2306--2308
  3. Electronic archive of Ioffe Physico-Technical Institute. New semiconductor materials. Characteristics and properties. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/basic.html
  4. Goldberg Yu.A., Schmidt N.M. // Handbook series on semiconductor parameters. V. 2 / Eds M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. London: World Scientific, 1999. P. 62--88
  5. Бурлаков Р.Б. // Вестн. Омск. ун-та. 2018. Т. 23. N 4. С. 78--86. DOI: 10.25513/1812-3996.2018.23(4).78-86
  6. Dubbon-Shevallier C., Gauneau M., Bresse J.F., Izrael A., Ankri D. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. N 11. P. 3783--3786.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.