"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110292
Закгейм Д.А. 1,2, Панов Д.Ю. 1, Спиридонов В.А. 1, Кремлева А.В. 1, Смирнов А.М. 1, Бауман Д.А.1, Романов А.Е. 1,2, Одноблюдов М.А. 1,3, Бугров В.Е. 1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: mitya@quantum.ioffe.ru, Dmitriipnv@gmail.com, avkremleva@itmo.ru, smirnov.mech@gmail.com, dabauman@itmo.ru, alexey.romanov@niuitmo.ru, maxim.odnoblyudov@spbstu.ru, vladislav.bougrov@itmo.ru
Поступила в редакцию: 5 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 5 августа 2020 г.
Принята к печати: 16 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 15 сентября 2020 г.

Сообщается об успешных экспериментах по выращиванию кристаллов бета-оксида галлия методом Чохральского. Исследовалось влияние состава ростовой атмосферы на кристаллическое совершенство материала. Показано, что для получения высококачественных оптически прозрачных кристаллов необходимо наличие в атмосфере роста около 5 vol.% кислорода. Проведены рентгеноструктурный анализ и исследование спектров оптического пропускания выращенных кристаллов. Ключевые слова: оксид галлия, вытягивание из расплава, метод Чохральского, кислородные вакансии.
  1. Pearton S.J., Yang J., Cary P.H., Ren F., Kim J., Tadjer M.J., Mastro M.A. // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 5. N 1. P. 011301. DOI: 10.1063/1.5006941
  2. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2016. V. 44. N 1. P. 63--86
  3. Hu Z., Nomoto K., Li W., Tanen N., Sasaki K., Kuramata A., Nakamura T., Jena T., Xing H.G. // IEEE Electron Dev. Lett. 2018. V. 39. N 6. P. 869--872
  4. Villora E.G., Arjoca S., Shimamura K., Inomata D., Aoki K. beta-Ga2O3 and single-crystal phosphors for high-brightness white LEDs and LDs, and beta-Ga2O3 potential for next generation of power devices // Oxide-based materials and devices V. International Society for Optics and Photonics, 2014. V. 8987. P. 89871U
  5. Kuramata A., Koshi K., Watanabe S., Yamaoka Y., Masui T., Yamakoshi S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. N 12. P. 1202A2. DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
  6. Galazka Z., Uecker R., Klimm D., Irmscher K., Naumann M., Pietsch M., Kwasniewski A., Bertram A., Ganschow S., Bickermann M. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2017. V. 6. N 2. P. Q3007--Q3011
  7. Baldini M., Galazka M., Wagner G. // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2018. V. 78. P. 132--146
  8. Hossain E., Kulkarni R., Mondal R., Guddolian S., Azizur Rahman A., Thamizhavel A., Bhattacharya A. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2019. V. 8. N 7. P. Q3144--Q3148
  9. Galazka Z., Irmscher K., Uecker R., Bertram R., Pietsch M., Kwasniewski A., Naumann M., Schulz T., Schewski R., Klimm D., Bickermann M. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 404. P. 184--191. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021
  10. Butenko P.N., Panov D.I., Kremleva A.V., Zakgeim D.A., Nashchekin A.V., Smirnova I.G., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. // Mater. Phys. Mech. 2019. V. 42. N 6. P. 802--807

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.