Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaP--p-(InSb)1-x(Sn2)x
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110279 
Академия наук Республики Узбекистан, Фото-, теплоэлектрические и излучательные эффекты в новых многокомпонентных твердых растворах с нанокристаллами на основе молекул элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений, ФА-Ф2-003
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
2Чирчикский государственный педагогический институт, Чирчик, Узбекистан
3Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2Чирчикский государственный педагогический институт, Чирчик, Узбекистан
3Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Email: amin@uzsci.net, sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 23 июля 2020 г.
Принята к печати: 1 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 15 сентября 2020 г.
Исследована вольт-амперная характеристика гетероструктур n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x (0≤ x≤ 0.05). Показано, что при малых напряжениях (V < 0.5 V) вольт-амперная характеристика описывается экспоненциальным законом I=I0exp( qV/ckT), а при больших (от 0.5 до 1.8 V) - степенными законами I=AVm с разными значениями коэффициента A и показателя степени m при различных напряжениях. При более высоких напряжениях (от 2.10 до 2.48 V) наблюдается сублинейный участок, который описывается законом V=V0exp (Jd/2kTμpNt). Ключевые слова: вольт-амперная характеристика, двойная инжекция, твердый раствор, гетероструктура.
- Cаидов А.C., Уcмонов Ш.Н., Каланов М.У., Куpмантаев А.Н., Бахтибаев А.Н. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 1. C. 36--43
- Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. В. 8. С. 1631--1641
- Madelung O. Physics of III-V compounds. N.Y.-London-Sydney, 1964. 409 p. [ Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. 477 с.].
- Handbook series on semiconductor parameters. V. 2. Ternary and quaternary III-V compounds / Eds M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Singapore-London: World Scientific, 1999. 205 p
- Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Кнорозок Л.М. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 3. С. 303--306
- Лейдерман A.Ю., Рахмонов У.Т., Утениязов А.К., Турманова Р.М. Влияние варизонности полупроводника на эффект инжекционного обеднения // Республ. конф. "Современные проблемы физики полупроводников" (СПФП-2019). Нукус, 2019. С. 75--78
- Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 7. C. 970--977
- Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 12. С. 2319--2325
- Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Амонов К.А. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 9. С. 1066--1070
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
