Вышедшие номера
Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110048
Чистохин И.Б.1, Фрицлер К.Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ichist1@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2020 г.
Принята к печати: 23 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.

Изучено влияние условий геттерирования в высокоомном кремнии при изготовлении PIN-фотодиодов на обратные темновые токи. Показано, что геттерирование путем использования комбинации ионного легирования фосфором и нанесения поликремниевой пленки с последующим легированием фосфором при температурах менее 900oС обратной стороны подложки приводит к пониженным значениям обратного темнового тока и увеличению времени жизни неравновесных носителей. Ключевые слова: геттерирование, PIN-фотодиод, высокоомный кремний, темновые токи.