Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 21 » Статья стр. 11
<<<>>>
Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов
DOI: 10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110048
Чистохин И.Б.1, Фрицлер К.Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ichist1@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2020 г.
Принята к печати: 23 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.
PDF версия
Изучено влияние условий геттерирования в высокоомном кремнии при изготовлении PIN-фотодиодов на обратные темновые токи. Показано, что геттерирование путем использования комбинации ионного легирования фосфором и нанесения поликремниевой пленки с последующим легированием фосфором при температурах менее 900oС обратной стороны подложки приводит к пониженным значениям обратного темнового тока и увеличению времени жизни неравновесных носителей. Ключевые слова: геттерирование, PIN-фотодиод, высокоомный кремний, темновые токи.
  1. Moser H.-G. // Progr. Particle Nucl. Phys. 2009. V. 63. P. 186--237. DOI: 10.1016/j.ppnp.2008.12.002
  2. Lee S.C., Jeon H.B., Kang K.H., Kim B.B., Park H. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 2018. V. 912. P. 350--353. DOI: 10.1016/j.nima.2017.12.043
  3. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. 2nd ed. Wiley, 1981. P. 21
  4. Istratov A.A., Hieslmair H., Weber E.R. // Appl. Phys. A. 2000. V. 70. P. 489--534
  5. Han D.J., Batignani G., Guerra A.Del. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 1450--1452. DOI: 10.1063/1.1602166
  6. Holland S. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 1989. V. 275. P. 537--541. DOI: 10.1016/0168-9002(89)90741-9
  7. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высш. шк., 1986. 367 с
  8. Климанов Е.А. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. N 2. С. 121--125
  9. Dalla Betta G.F., Boscardin M., Pignatel G.U., Verzellesi G., Bosisio L., Ferrario L., Zen M., Soncini G. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 1998. V. 409. P. 346--350. DOI: 10.1016/S0168-9002(97)01296-5
  10. Seo J., Kim J., Lim H., Park J. // J. Korean Phys. Soc. 2010. V. 57. P. 44--50. DOI: 10.3938/jkps.57.44
  11. Владимиров В.М., Марков В.В., Сергий М.Е., Шепов В.Н. // Приборы и техника эксперимента. 2011. N2. С. 166--167
  12. Liu A., Yan D., Wong-Leung J., Li L., Phang S.P., Cuevas A., Macdonald D. // 2018 IEEE 7th World Conf. on photovoltaic energy conversion (WCPEC). IEEE, 2018. P. 1667--1671. DOI: 10.1109/PVSC.2018.8547431

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme