"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов
РФФИ, 20-52-16301
РФФИ, 20-02-00351
РФФИ, 19-52-53031
РФФИ, 18-02-40006
Дубровский В.Г.1, Штром И.В.2
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2020 г.
Принята к печати: 15 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 14 августа 2020 г.

Получено приближенное аналитическое уравнение, описывающее закон удлинения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл в плоскости подложки. Проведен теоретический анализ различных режимов роста в зависимости от радиуса нитевидного нанокристалла R и условий эпитаксиального осаждения. Показано, что скорость роста планарных нитевидных нанокристаллов может лимитироваться либо эффектом Гиббса-Томсона (при малых размерах капли катализатора), либо диффузией адатомов с поверхности подложки (при увеличении радиуса кристалла). Зависимость диффузионно-лимитированной скорости роста от R имеет вид R-m, где степенной показатель принимает значения 1, 3/2 или 2 в зависимости от характера поверхностной диффузии. Ключевые слова: планарный нитевидный нанокристалл, механизм роста пар-жидкость-кристалл, поверхностная диффузия, эффект Гиббса-Томсона.
  1. Zhang A., Zheng G., Lieber C.M. Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology. Springer, 2016. 327 p
  2. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89-90
  3. Colombo C., Spirkoska D., Frimmer M., Abstreiter G., Fontcuberta i Morral A. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 155326
  4. Yang P., Yan P.R., Fardy M. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 1529-1536
  5. Yu L., Alet P.-J., Picardi G., Roca i Cabarrocas P. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 102. P. 125501
  6. Fortuna S.A., Wen J., Chun I.S., Li X. // Nano Lett. 2008. V. 8. P. 4421-4427
  7. Friedl M., Cerveny K., Weigele P., Tutuncuoglu G., Marti-Sanchez S., Huang C., Patlatiuk T., Potts H., Sun Z., Hill M.O., Guniat L., Kim W., Zamani M., Dubrovskii V.G., Arbiol J., Lauhon L.J., Zumbuhl D.M., Fontcuberta i Morral A. // Nano Lett. 2018. V. 18. P. 2666-2671
  8. Tsivion D., Joselevich E. // J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. P. 19158
  9. Oksenberg E., Popovitz-Biro R., Rechav K., Joselevich E. // Adv. Mater. 2015. V. 27. P. 3999-4005
  10. Reut G., Oksenberg E., Popovitz-Biro R., Rechav K., Joselevich E. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. P. 17087
  11. Rothman A., Dubrovskii V.G., Joselevich E. // PNAS. 2020. V. 117. P. 152-160
  12. Nikoobakht B., Michaels C.A., Stranick S.J., Vaudin M.D. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 3244-3246
  13. Shen Y., Chen R., Yu X., Wang Q., Jungjohann K.L., Dayeh S.A., Wu T. // Nano Lett. 2006. V. 16. P. 4158-4165
  14. Zi Y., Jung K., Zakharov D., Yang C. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 2786-2791
  15. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41-50
  16. Seifert W., Borgstrom M., Deppert K., Dick K.A., Johansson J., Larsson M.W., M rtensson T., Skold N., Svensson C.P.T., Wacaser B.A., Wallenberg L.R., Samuelson L. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 272. P. 211-220
  17. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 31-36
  18. Froberg L.E., Seifert W., Johansson J. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 153401
  19. Dubrovskii V.G., Grecenkov J. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 340-347
  20. Dubrovskii V.G. // Phys. Status Solidi B. 1992. V. 171. P. 345-356

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.