"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN-AlGaN-GaN на кремниевых подложках
Мясоедов А.В. 1, Сахаров А.В. 1, Николаев А.Е. 1, Калмыков А.Е.1, Сорокин Л.М. 1, Лундин В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2020 г.
Принята к печати: 10 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы две буферные структуры на основе растворов AlxGa1-xN: с легированием кремнием и без легирования. Структуры выращены на кремниевых подложках c ориентацией (111) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последовательно уменьшающимся содержанием Al. Установлено значительное снижение плотности прорастающих дислокаций в области промежуточных слоев при изменении доли Al c 32 до 23%. Обнаружены фазовый распад и явление композиционной автомодуляции в слоях AlxGa1-xN в направлении роста при содержании Al, равном 32, 23, 12 и 4%. Предложена модель структуры слоев в области модуляции состава. Ключевые слова: прорастающие дислокации, просвечивающая электронная микроскопия, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, спонтанная модуляция состава.
  1. Su J., Armour E., Lee S.M., Arif R., Papasouliotis G.D. // Phys. Status Solidi A. 2016. V. 213. N 4. P. 856--860. DOI: 10.1002/pssa.201532708
  2. Rudinsky M.E., Lobanova A.V., Karpov S.Y., Talalaev R.A. // Jpn. J. Appl. Phys. 2019. V. 58. N SC. P. SC1017. DOI: 10.7567/1347-4065/AB06B7
  3. Albrecht M., Nikitina I.P., Nikolaev A.E., Melnik Y.V., Dmitriev V.A., Strunk H.P. // Phys. Status Solidi A. 1999. V. 176. N 1. P. 453--458. DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<453::AID-PSSA453>3.0.CO;2-M
  4. Rudinsky M.E., Yakovlev E.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F., Velikovskiy L.E. // Phys. Status Solidi A. 2016. V. 213. N 10. P. 2759--2763. DOI: 10.1002/pssa.201600210
  5. Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Михайловский Г.А., Черкашин Н.А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е.В., Лобанова А.В., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 6. С. 841--846
  6. Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Яговкина М.А., Устинов В.М. // Мокеровские чтения. Науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. С. 18
  7. Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Брунков П.Н., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 24. С. 33--39. [Пер. версия: 10.1134/S1063785010120205].
  8. Verkhovtceva E.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Sokolov R.V., Yagovkina M.A. // 11th Biennial Conf. on high resolution X-ray diffraction and imaging (XTOP 2012). St. Petersburg, 2012. P. 251--252
  9. Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.F., Beltz G.E., Pompe W., Speck J.S. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 231. N 3. P. 371--390. DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01468-3
  10. Hull D., Bacon D.J. // Introduction to dislocations. Butterworth-Heinemann, 2011. 272 p
  11. Mayboroda I.O., Knizhnik A.A., Grishchenko Yu.V., Ezubchenko I.S., Zanaveskin M.L., Kondratev O.A., Presniakov M.Yu., Potapkin B.V., Ilyin V.A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. N 10. P. 105305. DOI: 10.1063/1.5002070
  12. Максимов К.С., Максимов С.К. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 10. С. 70--75
  13. Gao M., Bradley S.T., Cao Y., Jena D., Lin Y., Ringel S.A., Hwang J., Schaff W.J., Brillson L.J. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. N 10. P. 103512. DOI: 10.1063/1.2382622
  14. Cheng S., Langelier B., Ra Y.H., Rashid R.T., Mi Z., Botton G.A. // Nanoscale. 2019. V. 11. N 18. P. 8994--8999. DOI: 10.1039/c9nr01262a
  15. Albrecht M., Lymperakis L., Neugebauer J., Northrup J.E., Kirste L., Leroux M., Grzegory I., Porowski S., Strunk H.P. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. N 3. P. 035314. DOI: 10.1103/PhysRevB.71.035314

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.