Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 19 » Статья стр. 22
<<<>>>
Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50039.18419
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100053
Министерство науки и высшего образования России, поддержка ЦКП ”Материаловедение и диагностика в передовых технологиях“ (ФТИ им. А.Ф. Иоффе), RFMEFI62119X0021
Гагис Г.С. 1, Васильев В.И. 1, Лeвин Р.В.1, Маричев А.Е.1, Пушный Б.В.1, Кучинский В.И.1,2, Казанцев Д.Ю. 1, Бер Б.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: galina-gagis@yandex.ru, giman@mail.ioffe.ru, Lev@vpegroup.ioffe.ru, Pushnyi@vpegroup.ioffe.ru, Vladimir@kuch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 30 июня 2020 г.
Принята к печати: 30 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.
PDF версия
При исследовании легированных анизотипных гетероструктур со слоями Ga1-xInxAsyP1-y, выращенных на подоложках InP с буферным слоем InP методом МОС-гидридной эпитаксии, в слое Ga1-xInxAsyP1-y со стороны подложки для отдельных образцов выявлено наличие переходных областей, на протяжении которых содержание мышьяка (y) увеличивалось от границы со слоем InP к поверхности структуры на величину Delta y до 0.15, а содержание элементов третьей группы (x) оставалось постоянным. Ключевые слова: МОС-гидридная газофазная эпитаксия, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи, легирование, однородность.
  1. Хвостиков В.П., Сорокина С.В., Потапович Н.С., Левин Р.В., Маричев А.E., Тимошина Н.Х., Пушный Б.В. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 13. С. 1641--1646. DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46880.8926 [Пер. версия: 10.1134/S1063782618130079]
  2. Razeghi M. MOCVD challenge. Survey of GaInAsP-InP \& GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications. 2ed. Taylor and Francis/CRC Press, 2010. 773 p
  3. Гагис Г.С., Левин Р.В., Маричев А.Е., Пушный Б.В., Щеглов М.П., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Кудрявцев Ю.А., Власов А.С., Попова Т.Б., Чистяков Д.В., Кучинский В.И., Васильев В.И. // ФТП. 2019. T. 53. В. 11. С. 1512--1518. DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48446.9191 [Пер. версия: 10.1134/S106378261911006X]
  4. Cunningham J.E., Santos M.B., Goossen K.W., Williams M.D., Jan W. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 2418--2420
  5. Beanland R., Dunstan D.J., Goodhew P.J. // Adv. Phys. 1996. V. 45. P. 87--146
  6. Binnewies M., Mike E. Thermochemical data of elements and compounds. 2ed. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH, 2002. 926 p
  7. Zdanowicz W., Henkie Z. // Bull. Acad. Pol. Sci. Ser. Sci. Chem. 1964. V. 12. P. 729--734

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme