Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 17 » Статья стр. 3
>>>
Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки
DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49883.18377
Переводная версия: 10.1134/S1063785020090072
Панайотти И.Е.1, Теруков Е.И.2,3, Шахрай И.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: panaiotti@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 15 мая 2020 г.
Принята к печати: 19 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.
PDF версия
Исследованы особенности токовых процессов в кремниевых гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах. Предложенная модель учитывает амбиполярный характер движения носителей заряда и позволяет рассчитывать рабочие характеристики при произвольном соотношении между длиной диффузии и толщиной кристаллической подложки. Описан численный метод оценки скорости рекомбинационных потерь на поверхностях кремниевых пластин, основанный на сравнительном анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания и напряжений холостого хода. Ключевые слова: гетеропереходные солнечные элементы, кристаллические кремниевые подложки, поверхностные рекомбинационные потери.
  1. Yamamoto K., Yoshikawa K., Yoshida W., Irie T., Kawasaki H., Konishi K., Asatani T., Kanematsu M., Mishima R., Nakano K., Uzu H., Adachi D. High efficiency α-Si/c-Si heterojunction solar cells // 27th Int. Conf. on amorphous and nanocrystalline semiconductors. Program Book. Seoul, Korea, 2017. P. 92
  2. Миличко В.А., Шалин А.С., Мухин И.С., Ковров А.Э., Красилин А.А., Виноградов А.В., Белов П.А., Симовский К.Р. // УФН. 2016. Т. 186. N 8. С. 801--852
  3. Саченко А.В., Шкребтий А.И., Коркишко Р.М., Костылев В.П., Кулиш Н.Р., Соколовский И.О. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 2. С. 271--277
  4. Панайотти И.Е., Теруков Е.И. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 5. С. 9--12
  5. Форш П.А., Жигунов Д.М., Бобыль А.В., Теруков Е.И., Кашкаров П.К. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. X Междунар. конф. СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2016. С. 209--210
  6. Kobayashi E., De Wolf S., Jacques L., Christmann G., Descoeudres A., Nicolay S., Despeisse M., Watabe Y., Balif C. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. P. 153503
  7. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с
  8. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. John Wiley \& Sons, 1981. Ch. 14.2. [ Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Кн. 2. Гл. 14.2.]
  9. Теруков Е.И., Абрамов А.С., Андронников Д.А., Емцев К.В., Панайотти И.Е., Титов А.С., Шелопин Г.Г. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 7. С. 792--795

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme