"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi2 методом ионной имплантации
Донаев С.Б. 1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: sardor.donaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2020 г.
Принята к печати: 14 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июня 2020 г.

Изучены морфология, состав и электронные свойства пленки CoSiO, полученной на поверхности CoSi2/Si(111) путем имплантации ионов О2+ в сочетании с отжигом. Определены параметры энергетических зон и получена информация о плотности состояний электронов валентной зоны и зоны проводимости. В частности, показано, что ширина запрещенной зоны этой пленки составляет ~ 2.4 eV. Ключевые слова: поверхность, ионная имплантация, отжиг, ширина запрещенной зоны, морфология, нанопленка.
  1. Chen J.K.-C., Kim T., Altieri N.D., Chen E., Chang J.P. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2017. V. 35. N 3. P. 031304
  2. Амиров И.И., Изюмов М.О., Наумов В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. N 8. С. 82--86. DOI: 10.7868/S0207352816080047 [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1027451016040236]
  3. Алексеев А.А., Олянич Д.А., Утас Т.В., Котляр В.Г., Зотов А.В., Саранин А.А. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 10. С. 94-100. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063784215100023]
  4. Кузнецова В.С., Новиков С.В., Ниченаметла Ч.К., Кальво И., Вагнер-Ритц М. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 6. С. 784--788. DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47729.38 [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063782619060101]
  5. Tung R.T. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. N 24. P. 3461--3463. http://dx.doi.org/10.1063/1.115793
  6. Tung R.T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Pt 1. N 3B. P. 1650--1653
  7. Hayasshi Y., Yoshinaga M., Ikeda H., Zaima S., Yasuda Y. // Surf. Sci. 1999. V. 438. N 1-3. P. 116--122
  8. Takahashi F., Irie T., Shi J., Hashimoto M. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 169-170. P. 315--319
  9. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Малыгин Д.Е., Галль Н.Р., Вялых Д.В., Молодцов С.Л. // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 10. С. 1901--1906. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.2087755]
  10. Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Malygin D.E., Gall N.R., Vyalikh D.V., Molodtsov S.L. // Surf. Sci. 2006. V. 600. N 12. P. 2449--2456
  11. Гомоюнова М.В., Войстрик Т.Е., Пронин И.И. // ЖТФ. 2009. Т. 79. В. 5. С. 150--154. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063784209050260]
  12. Donaev S.B., Djurabekova F.G., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. // Phys. Status Solidi C. 2015. V. 12. N 1-2. P. 89--93. https://doi.org/10.1002/pssc.201400156
  13. Донаев С.Б., Ташатов А.К., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 4. С. 95--98. DOI: 10.7868/S020735281504006X [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1027451015020263]
  14. Эргашов Ё.С., Умирзаков Б.Е. // ЖТФ. 2018. Т. 88. В. 12. С. 1859--1862. DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46788.12-18 [Пер. версия: 10.1134/S1063784218120058]
  15. Исаханов З.А., Мухтаров З.Э., Умирзаков Б.Е., Рузибаева М.К. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 4. С. 117--120. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063784211040177]
  16. Umirzakov B.E., Pugacheva T.S., Tashatov A.T., Tashmukhamedova D.A. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2000. V. 166-167. P. 572--576
  17. Бажанова Н.П., Кораблев В.В., Кудинов Ю.А. Актуальные вопросы вторично-эмиссионной спектроскопии. Л.: ЛПИ, 1985. 88 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.