Представлены результаты исследования методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга приповерхностных слоев гексагонального карбида кремния 4H-SiC, полученного модифицированным методом Лели, со стороны C-грани (0001) и Si-грани (0001) при малых глубинах погружения индентора. Показано, что различия в упругих свойствах и твердости SiC распространяются от поверхности в глубь кристалла примерно на глубину 60 nm. Значение модуля Юнга у C-грани практически совпадает с модулем Юнга объемного образца 4H-SiC (~ 400 GPa), что примерно в 2.3 раза выше, чем значение модуля Юнга у Si-грани на глубине от 0 до 35 nm (~ 170 GPa). Значение коэффициента твердости SiC в среднем примерно в 1.5 раза выше у поверхности C-грани (0001), чем у Si-грани (0001), на глубине от 0 до 60 nm. Поскольку при деформации или разрушении кристалла (формировании трещин) образуется новая поверхность, на основании полученных данных сделан вывод, что энергия поверхности С-грани также примерно в 1.5 раза выше, чем энергия поверхности Si-грани. Ключевые слова: наноиндентирование, карбид кремния, твердость, межфазная энергия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.