Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 15 » Статья стр. 14
<<<>>>
Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al2O3, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
DOI: 10.21883/PJTF.2020.15.49741.18347
Переводная версия: 10.1134/S1063785020080064
Russian Science Foundation (RSF) , No. 18-72-00038
Горшков Д.В. 1, Сидоров Г.Ю. 1, Сабинина И.В. 1, Сидоров Ю.Г. 1, Марин Д.В. 1, Якушев М.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: GorshkovDV@isp.nsc.ru, George@isp.nsc.ru, Sabinina@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru, Yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 апреля 2020 г.
Принята к печати: 22 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2020 г.
PDF версия
Экспериментально исследованы электрофизические свойства границы раздела пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения при различных температурах, и p-CdHgTe (xCdTe=0.22), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, посредством измерения вольт-фарадных характеристик МДП-структур. Установлено, что при температуре выращивания Al2O3, равной 200oC, в CdHgTe из-за диссоциации увеличивается концентрация акцепторов, а при температуре 80oC увеличивается разброс емкости диэлектрика и встроенного заряда. Оптимальная температура роста пассивирующего покрытия Al2O3 на CdHgTe лежит в диапазоне 120-160oC. Ключевые слова: CdHgTe, Al2O3, атомно-слоевое осаждение, вольт-фарадные характеристики, пассивирующее покрытие.
  1. Galeeva A.V., Artamkin A.I., Kazakov A.S., Danilov S.N., Dvoretskiy S.A., Mikhailov N.N., Ryabova L.I., Khokhlov D.R. // Beilstein J. Nanotechnol. 2018. V. 9. N 1. P. 1035--1039. DOI: 10.3762/bjnano.9.96
  2. Aleshkin V.Y., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Domnina O.L., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Teppe F., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // J. Phys.: Condens. Matter. 2018. V. 30. N 49. P. 495301. DOI: 10.1088/1361-648X/aaebf5
  3. Bazovkin V.M., Varavin V.S., Vasil'ev V.V., Glukhov A.V., Gorshkov D.V., Dvoretsky S.A., Kovchavtsev A.P., Makarov Y.S., Marin D.V., Mzhelsky I.V., Polovinkin V.G., Remesnik V.G., Sabinina I.V., Sidorov Y.G., Sidorov G.Y., Stroganov A.S., Tsarenko A.V., Yakushev M.V., Latyshev A.V. // J. Commun. Technol. Electron. 2019. V. 64. N 9. P. 1011--1015. DOI: 10.1134/S1064226919090043
  4. Zhang P., Ye Z.-H., Sun C.-H., Chen Y.-Y., Zhang T.-N., Chen X., Lin C., Ding R.-J., He L. // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. N 9. P. 4716--4720. DOI: 10.1007/s11664-016-4686-z
  5. Kovchavtsev A.P., Sidorov G.Y., Nastovjak A.E., Tsarenko A.V., Sabinina I.V., Vasilyev V.V. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. N 12. P. 125304. DOI: 10.1063/1.4978967
  6. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. // J. Phys. Chem. Solids. 2017. V. 102. P. 42--48. DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
  7. He K., Zhou S.-M., Li Y., Wang X., Zhang P., Chen Y.-Y., Xie X.-H., Lin C., Ye Z.-H., Wang J.-X., Zhang Q.-Y. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. N 20. P. 204501. DOI: 10.1063/1.4921593
  8. Предеин А.В., Васильев В.В. // Прикладная физика. 2011. N 5. С. 41--47
  9. Стучинский В.А., Вишняков А.В., Сидоров Г.Ю. // Автометрия. 2019. N 5. С. 40--47, DOI: 10.15372/AUT20190506
  10. Сидоров Г.Ю., Горшков Д.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Предеин А.В., Якушев М.В., Икусов Д.Г. // Прикладная физика. 2019. N 3. С. 45--52
  11. van Hemmen J.L., Heil S.B.S., Klootwijk J.H., Roozeboom F., Hodson C.J., van de Sanden M.C.M., Kessels W.M.M. // J. Electrochem. Soc. 2007. V. 154. N 7. P. G165. DOI: 10.1149/1.2737629
  12. Zakirov E.R., Kesler V.G., Sidorov G.Y., Prosvirin I.P., Gutakovsky A.K., Vdovin V.I. // Semicond. Sci. Technol. 2019. V. 34. N 6. P. 065007. DOI: 10.1088/1361-6641/ab1961
  13. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Savytskyy H.V., Vakiv M.M., Stakhira Y.M., Fitsych O.E., Yakushev M.V., Sorochkin A.V., Sabinina I.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Mynbaev K.D. // Semicond. Sci. Technol. 2012. V. 27. N 3. P. 035001. DOI: 10.1088/0268-1242/27/3/035001
  14. Voitsekhovskii А.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. // Russ. Phys. J. 2015. V. 58. N 4. P. 540--551. DOI: 10.1007/s11182-015-0532-7
  15. Sze S.M., Ng K.K. Physics of semiconductor devices. Hoboken, N.J., USA: John Wiley \& Sons, Inc., 2006. 832 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme