Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние условий магнетронного распыления на структуру Zr-Pd покрытий
Переводная версия: 10.1134/S1063785020070238 
Российский фонд фундаментальных исследований, 19-08-01250
Паль А.Ф.
1, Рябинкин А.Н.
1, Серов А.О.
1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Email: apal@mics.msu.su, alex.ryabinkin@gmail.com, aloleserov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 17 мая 2020 г.
Методом магнетронного распыления на постоянном токе получены неструктурированные аморфные металлические покрытия состава Zr75Pd25 при средней скорости нанесения 1.3 nm/s и температуре подложки 40oC, а также кристаллические покрытия при более высокой температуре. Равновесный фазовый состав кристаллического покрытия наблюдается при температуре 350oC. При промежуточной температуре в покрытиях преимущественно (по сравнению с равновесной фазой PdZr2) формируется фаза PdZr. Шероховатость полученных аморфных покрытий находится на уровне 0.2-0.5 nm, что на порядок меньше, чем у полученных кристаллических покрытий этого же состава. Ключевые слова: металлические стекла, аморфные металлические пленки, палладий, цирконий, магнетронное распыление.
- Ning J., Zhang X., Qin J., Wang L., Passerone D., Ma M., Liu R. // Int. J. Hydrogen Energy. 2016. V. 41. N 3. P. 1736--1743
- Matsuda M., Nishiura T., Yamamuro T., Nishida M. // Metals. 2018. V. 8. N 5. P. 366 (1-9)
- Ketov S.V., Shi X., Xie G., Kumashiro R., Churyumov A.Y., Bazlov A.I., Chen N., Ishikawa Y., Asao N., Wu H., Louzguine-Luzgin D.V. // Sci. Rep. 2015. V. 5. P. 7799
- Molnar A. // Appl. Surf. Sci. 2011. V. 257. N 19. P. 8151--8164
- Ivanov A.S., Pal A.F., Ryabinkin A.N., Serov A.O., Ekimov E.A., Smirnov A.V., Starostin A.N. // Russ. J. Gen. Chem. 2015. V. 85. N 5. P. 1270--1283
- Greer A.L., Myung W.-N. // MRS Proc. 2000. V. 644. N 11. P. L10.4
- Xu H., Huang H., Walker J., Kong C., Rice N.G., Mauldin M.P., Vocke J.D., Bae J.H., Sweet W., Elsner F.H., Farrell M.P., Wang Y.M., Alford C., Cardenas T., Loomis E. // Fusion Sci. Technol. 2018. V. 73. N 3. P. 354--362
- Yan H., Tay Y.Y., Liang M.H., Chen Z., Ng C.M., Pan J.S., Xu H., Liu C., Silberschmidt V.V. // 11th Electronics Packaging Technology Conf. IEEE, 2009. P. 567--572
- Yiu P., Diyatmika W., Bonninghoff N., Lu Y.-C., Lai B.-Zh., Chu J.P. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. N 3. P. 030901
- Inoue A. // Acta Mater. 2000. V. 48. N 1. P. 279--306
- Liu Y.H., Fujita T., Hirata A., Li S., Liu H.W., Zhang W., Inoue A., Chen M.W. // Intermetallics. 2012. V. 21. P. 105--114
- Sharma P., Kaushik N., Kimura H., Saotome Y., Inoue A. // Nanotechnology. 2007. V. 18. N 3. P. 035302
- Chu C.W., Jang J.S.C., Chiu S.M., Chu J.P. // Thin Solid Films. 2009. V. 517. N 17. P. 4930--4933
- Манкелевич Ю.А., Митин А.В., Митин В.С., Паль А.Ф., Рахимова Т.В., Рябинкин А.Н., Серов А.О., Лучкин С.Ю. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 24. С. 60--66. [ Mankelevich Y.A., Mitin A.V., Mitin V.S., Pal' A.F., Rakhimova T.V., Ryabinkin A.N., Serov A.O., Luchkin S.Y. // Tech. Phys. Lett. 2013. V. 39. N 1. P. 39--41]
- Bendersky L.A., Stalick J.K., Portier R., Waterstrat R.M. // J. Alloys Compd. 1996. V. 236. N 1-2. P. 19--25
- Greer A.L., Cheng Y.Q., Ma E. // Mater. Sci. Eng. R. 2013. V. 74. N 4. P. 71--132
- Thornton J.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1974. V. 11. N 4. P. 666--670
- Hu J.-Q., Xie M., Pan Y., Yang Y.-C., Liu M.-M., Zhang J.-M. // Comput. Mater. Sci. 2012. V. 51. N 1. P. 1--6
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
