Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения
РФФИ, Правительство Красноярского края, Красноярский краевой фонд науки, 18-42-243022
Правительство Российской Федерации , постановление №220 (Мегагранты), 075-15-2019-1886
Тарасов А.С.
1,2, Лукьяненко А.В.1,2, Бондарев И.А.1,2, Яковлев И.А.1, Варнаков С.Н.1, Овчинников С.Г.1,2, Волков Н.В.1,2
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Email: taras@iph.krasn.ru, lav@iph.krasn.ru, bia@iph.krasn.ru, yia@iph.krasn.ru, vsn@iph.krasn.ru, sgo@iph.krasn.ru, volk@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 19 февраля 2020 г.
Принята к печати: 6 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 4 мая 2020 г.
Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник. Ключевые слова: силицид железа, структуры ферромагнетик/полупроводник, эффект Ханле, спиновая аккумуляция, электрическая спиновая инжекция.
- Fert A. // Rev. Mod. Phys. 2008. V. 80. N 4. P. 1517--1530
- Datta S., Das B. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 7. P. 665--667
- Nikonov D.E., Young I.A. // Proc. IEEE. 2013. V. 101. N 12. P. 2498--2533
- Jansen R. // Nature Mater. 2012. V. 11. N 5. P. 400--408
- Thomas L., Jan G., Zhu J., Liu H., Lee Y.J., Le S., Tong R.-Y., Pi K., Wang Y.-J., Shen D., He R., Haq J., Teng J., Lam V., Huang K., Zhong T., Torng T., Wang P.-K. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. N 17. P. 172615
- Fert A., Jaffres H. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. N 18. P. 184420
- Lou X., Adelmann C., Crooker S.A., Garlid E.S., Zhang J., Reddy K.S.M., Flexner S.D., Palmstr m C.J., Crowell P.A. // Nature Phys. 2007. V. 3. N 3. P. 197--202
- Jansen R., Dash S.P., Sharma S., Min B.C. // Semicond. Sci. Technol. 2012. V. 27. N 8. P. 083001
- Lee S., Rortais F., Ohshima R., Ando Y., Miwa S., Suzuki Y., Koike H., Shiraishi M. // Phys. Rev. B. 2019. V. 99. N 6. P. 064408
- Spiesser A., Fujita Y., Saito H., Yamada S., Hamaya K., Mizubayashi W., Endo K., Yuasa S., Jansen R. // Phys. Rev. Appl. 2019. V. 11. N 4. P. 044020
- Tarasov A.S., Lukyanenko A.V., Tarasov I.A., Bondarev I.A., Smolyarova T.E., Kosyrev N.N., Komarov V.A., Yakovlev I.A., Volochaev M.N., Solovyov L.A., Shemukhin A.A., Varnakov S.N., Ovchinnikov S.G., Patrin G.S., Volkov N.V. // Thin Solid Films. 2017. V. 642. P. 20--24
- Tarasov A.S., Bondarev I.A., Rautskii M.V., Lukyanenko A.V., Tarasov I.A., Varnakov S.N., Ovchinnikov S.G., Volkov N.V. // J. Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques. 2018. V. 12. N 4. P. 633--637
- Tarasov A.S., Lukyanenko A.V., Rautskii M.V., Bondarev I.A., Smolyakov D.A., Tarasov I.A., Yakovlev I.A., Varnakov S.N., Ovchinnikov S.G., Baron F.A., Volkov N.V. // Semicond. Sci. Technol. 2019. V. 34. N 3. P. 035024
- Volkov N.V., Tarasov A.S., Smolyakov D.A., Gustaitsev A.O., Rautskii M.V., Lukyanenko A.V., Volochaev M.N., Varnakov S.N., Yakovlev I.A., Ovchinnikov S.G. // AIP Adv. 2017. V. 7. N 1. P. 015206
- Fujita Y., Yamada S., Ando Y., Sawano K., Itoh H., Miyao M., Hamaya K. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 1. P. 013916
- Song Y., Chalaev O., Dery H. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113. N 16. P. 167201
- Ishikawa M., Oka T., Fujita Y., Sugiyama H., Saito Y., Hamaya K. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. N 11. P. 115302
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
