Вышедшие номера
Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
Переводная версия: 10.1134/S106378502006022X
Russian science foundation, 17-72-20146
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.2, Минтаиров С.А.2, Надточий А.М.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.2, Калюжный Н.А.2
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 12 марта 2020 г.
Принята к печати: 24 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2020 г.

Исследованы спектры электролюминесценции и зависимости напряжения холостого хода от фотогенерированного тока для GaAs-солнечных элементов, p-n-переход которых содержал различное количество рядов (r) квантовых объектов на основе слоев In0.4Ga0.6As. Для всех образцов получены значения тока насыщения (J0), ширины запрещенной зоны квантового объекта (E_g^Q) и падения напряжения холостого хода (Delta Voc) относительно реферного (r = 0) образца. Предложена модель, адекватно описывающая зависимости J0(r) и Delta Voc(r), и найдены модельные параметры, в том числе токовый инвариант Jz = 1.4· 105 A/cm2, однозначно связывающий ток насыщения с шириной запрещенной зоны квантового объекта. Ключевые слова: квантовые объекты, солнечные элементы, фотопреобразователи, ток насыщения.