Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
Переводная версия: 10.1134/S106378502006005X 
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1, Редьков А.В.3, Шарофидинов Ш.Ш.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
Исследована возможность получения объемных (толщиной свыше 7 μm) эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001) без трещин. Обнаружено, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на гибридной подложке SiC/Si слой AlN сжат. Установлено предельное (критическое) значение толщины полуполярного слоя AlN на подложке Si (001) (~ 7.5 μm). При превышении толщиной этого значения в пленке образуется ансамбль трещин, приводящий к ее полному растрескиванию и отслоению от подложки. На гибридных подложках SiC/Si получены эпитаксиальные полуполярные пленки AlN с толщиной, превышающей 40 μm, без отслоения от подложки и ее растрескивания. Ключевые слова: эпитаксия, критическая толщина слоя AlN, гетероструктуры, нитрид алюминия, полуполярный нитрид алюминия, HVPE, карбид кремния, кремний, метод замещения атомов.
- Сергеева О.Н., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Ильина Т.С., Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. // ФТТ. 2019. Т. 61. В. 12. С. 2379--2384
- Sawaki N., Honda Y. // Sci. China Technol. Sci. 2011. V. 54. P. 38--41
- Dinh D.V., Presa S., Akhter M., Maaskant P.P., Corbett B., Parbrook P.J. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 125007 (1--8)
- Mitsunari T., Lee H.J., Honda Y., Amano H. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 431. P. 60--63
- Wang T. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 093003 (1--26)
- Ravash R., Dadgar A., Bertram F., Dempewolf A., Metzner S., Hempel T., Christen J., Krost A. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 370. P. 288--292
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rodin S.N. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2014. V. 38. P. 75--93
- Zhu D., Wallis D.J., Humphreys C.J. // Rep. Prog. Phys. 2013. V. 76. P. 106501 (1--31)
- Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н., Родин С.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 11. С. 3--5
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 49091 (1--7)
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 31300(1--41)
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. P. 464006(1--7)
- Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2017. V. 52. P. 29--42
- Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
- Bessolov V., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Osipov A., Panteleev V. // Microelectron. Eng. 2017. V. 178. P. 34--37
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рожавская М.М., Мясоедов А.В., Трошков С.И., Лундин В.В., Сорокин Л.М., Цацульников А.Ф. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 9. С. 1850--1858
- Kukushkin S.A., Sharofidinov Sh.Sh., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dydenchuk A.F. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2018. V. 7. P. P480--P486
- Temple P.A., Hathaway C.E. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. P. 3685--3697
- Davydov V.Yu., Kitaev Yu.E., Goncharuk I.N., Smirnov A.N., Graul J., Semchinova O., Uffmann D., Smirnov M.B., Mirgorodsky A.P., Evarestov R.A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 12899--12907
- Prokofyeva T., Seon M., Vanbuskirk J., Holtz M., Nikishin S.A., Faleev N.N., Temkin H., Zollner S. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 125313--125317
- Телятник Р.С., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 1. С. 153--162
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
