Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 22
<<<>>>
Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49494.18272
Переводная версия: 10.1134/S106378502006005X
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1, Редьков А.В.3, Шарофидинов Ш.Ш.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
PDF версия
Исследована возможность получения объемных (толщиной свыше 7 μm) эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001) без трещин. Обнаружено, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на гибридной подложке SiC/Si слой AlN сжат. Установлено предельное (критическое) значение толщины полуполярного слоя AlN на подложке Si (001) (~ 7.5 μm). При превышении толщиной этого значения в пленке образуется ансамбль трещин, приводящий к ее полному растрескиванию и отслоению от подложки. На гибридных подложках SiC/Si получены эпитаксиальные полуполярные пленки AlN с толщиной, превышающей 40 μm, без отслоения от подложки и ее растрескивания. Ключевые слова: эпитаксия, критическая толщина слоя AlN, гетероструктуры, нитрид алюминия, полуполярный нитрид алюминия, HVPE, карбид кремния, кремний, метод замещения атомов.
  1. Сергеева О.Н., Солнышкин А.В., Киселев Д.А., Ильина Т.С., Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. // ФТТ. 2019. Т. 61. В. 12. С. 2379--2384
  2. Sawaki N., Honda Y. // Sci. China Technol. Sci. 2011. V. 54. P. 38--41
  3. Dinh D.V., Presa S., Akhter M., Maaskant P.P., Corbett B., Parbrook P.J. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 125007 (1--8)
  4. Mitsunari T., Lee H.J., Honda Y., Amano H. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 431. P. 60--63
  5. Wang T. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 093003 (1--26)
  6. Ravash R., Dadgar A., Bertram F., Dempewolf A., Metzner S., Hempel T., Christen J., Krost A. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 370. P. 288--292
  7. Bessolov V.N., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rodin S.N. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2014. V. 38. P. 75--93
  8. Zhu D., Wallis D.J., Humphreys C.J. // Rep. Prog. Phys. 2013. V. 76. P. 106501 (1--31)
  9. Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н., Родин С.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 11. С. 3--5
  10. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 49091 (1--7)
  11. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 31300(1--41)
  12. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. P. 464006(1--7)
  13. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2017. V. 52. P. 29--42
  14. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
  15. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Osipov A., Panteleev V. // Microelectron. Eng. 2017. V. 178. P. 34--37
  16. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рожавская М.М., Мясоедов А.В., Трошков С.И., Лундин В.В., Сорокин Л.М., Цацульников А.Ф. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 9. С. 1850--1858
  17. Kukushkin S.A., Sharofidinov Sh.Sh., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dydenchuk A.F. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2018. V. 7. P. P480--P486
  18. Temple P.A., Hathaway C.E. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. P. 3685--3697
  19. Davydov V.Yu., Kitaev Yu.E., Goncharuk I.N., Smirnov A.N., Graul J., Semchinova O., Uffmann D., Smirnov M.B., Mirgorodsky A.P., Evarestov R.A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 12899--12907
  20. Prokofyeva T., Seon M., Vanbuskirk J., Holtz M., Nikishin S.A., Faleev N.N., Temkin H., Zollner S. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 125313--125317
  21. Телятник Р.С., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 1. С. 153--162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme