Вышедшие номера
Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
Переводная версия: 10.1134/S106378502006005X
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1, Редьков А.В.3, Шарофидинов Ш.Ш.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 3 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

Исследована возможность получения объемных (толщиной свыше 7 μm) эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001) без трещин. Обнаружено, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на гибридной подложке SiC/Si слой AlN сжат. Установлено предельное (критическое) значение толщины полуполярного слоя AlN на подложке Si (001) (~ 7.5 μm). При превышении толщиной этого значения в пленке образуется ансамбль трещин, приводящий к ее полному растрескиванию и отслоению от подложки. На гибридных подложках SiC/Si получены эпитаксиальные полуполярные пленки AlN с толщиной, превышающей 40 μm, без отслоения от подложки и ее растрескивания. Ключевые слова: эпитаксия, критическая толщина слоя AlN, гетероструктуры, нитрид алюминия, полуполярный нитрид алюминия, HVPE, карбид кремния, кремний, метод замещения атомов.