Вышедшие номера
Особенности воздействия ионов He и Ar низких энергий на нанопористые Si/SiO2-материалы
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060140
Российский научный фонд, 16-12-10361-П
Сычева А.А. 1, Воронина Е.Н. 1,2
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: sycheva.phys@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 25 февраля 2020 г.
Принята к печати: 6 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

Методом молекулярной динамики выполнено моделирование воздействия ионов He и Ar низких энергий (50-200 eV) на нанопористые материалы на основе Si и SiO2. Полученные результаты подтверждают наблюдаемый экспериментально эффект уплотнения приповерхностных слоев материалов с малыми размерами пор и низкой пористостью, который обусловлен инициированным ионами процессом схлопывания пор. Исследованы различия в воздействии на нанопористые материалы ионов He и Ar и влияние их энергии на интенсивность структурных изменений. Ключевые слова: low-k диэлектрики, нанопористые материалы, молекулярная динамика, схлопывание пор.