Вышедшие номера
Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала
Переводная версия: 10.1134/S106378502005017X
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, фундаментальные исследования, ОТ-Ф2-67
Абдикаримов А.Е.1
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
Email: abdukarimov.azamat@rambler.ru
Поступила в редакцию: 3 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 2 марта 2020 г.
Принята к печати: 2 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2020 г.

Моделируется влияние формы канала вертикального полевого транзистора с изолированным затвором на амплитуду случайного телеграфного шума, индуцированного единичным зарядом, встроенным на граничных ловушках. Рассматриваются транзисторы с прямоугольным и трапециевидным поперечным сечением канала. Показано, что при встраивании единичного граничного заряда в потолке канала в подпороговой области напряжений на затворе амплитуда шума для транзистора с трапециевидным поперечным сечением меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Однако при встраивании единичного заряда в середине боковой поверхности канала амплитуда случайного телеграфного шума существенно больше для трапециевидного сечения. Ключевые слова: случайный телеграфный шум, FinFET-транзистор, граничный ловушечный заряд, плотность тока стока.