Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga1-xInxAs p-n-переходов на метаморфном буфере
Президиум РАН, Перспективные физико-химические технологии специального назначения, 22
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2019 г.
Принята к печати: 30 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Определена связь между шириной запрещенной зоны GaInAs гомо-p-n-переходов и током насыщения. Для этого предложен и обоснован метод определения ширины запрещенной зоны p-n-перехода по спектру квантового выхода фототока. Метод применен для Ga1-xInxAs p-n-переходов, полученных с помощью металлоорганической газофазной эпитаксии; p-n-переходы выращивались на метаморфных буферах. Разница между шириной запрещенной зоны, определенной при помощи предложенного метода и по положению максимума спектра электролюминесценции, не превышала 3 meV. Установлено, что ток насыщения экспоненциально зависит от ширины запрещенной зоны и эта зависимость характеризуется токовым инвариантом. Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, метаморфный буфер, лазерный фотоэлектрический преобразователь, электролюминесценция, спектр фототока, ток насыщения, правило Урбаха.
- King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., Fetzer C.M., Kinsey G.S., Yoon H., Sherif R.A., Karam N.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. N 18. P. 183516
- Geisz J.F., Steiner M.A., Schulte K.L., Young M., France R.M., Friedman D.J. // AIP Conf. Proc. 2018. V. 2012. P. 040004
- Geisz J.F., Steiner M.A., Jain N., Schulte K.L., France R.M., McMahon W.E., Perl E.E., Friedman D.J. // IEEE J. Photovolt. 2018. V. 8. N 2. P. 626--632
- Kalyuzhnyy N.A., Emelyanov V.M., Evstropov V.V., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Nahimovich M.V., Salii R.A., Shvarts M.Z. // AIP Conf. Proc. 2019. V. 2149. P. 050006
- Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Nadtochiy A.M., Nevedomskiy V.M., Rybalchenko D.V., Shvarts M.Z. // Electron. Lett. 2017. V. 53. N 3. P. 173--175
- Kim Y., Shin H.-B., Lee W.-H., Jung S.H., Kim C.Z., Kim H., Lee Y.T., Kang H.K. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2019. V. 200. P. 109984
- Mintairov M.A., Evstropov V.V., Mintairov S.A., Shvarts M.Z., Kalyuzhnyy N.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1410. P. 012097
- Moss T.S., Hawkins T.D.F. // Infrared Phys. 1961. V. 1. N 2. P. 111--115
- Pankove J.I. Optical processes in semiconductors. Prentice-Hall, Inc., 1971. [ Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. Гл. 3.1.5.]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
