"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030268
Ломов А.А. 1, Середин Б.М. 2, Мартюшов С.Ю.3, Заиченко А.Н. 2, Симакин С.Г. 4, Шульпина И.Л. 5
1Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
4Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lomov@ftian.ru, seredinboris@gmail.com, stemart@yandex.ru, za_al@mail.ru, simser@mail.ru, iren.shulpina@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2019 г.
Принята к печати: 17 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Предложена методика формирования толстых сильно легированных галлием термомиграционных слоев кремния для перспективных приборов силовой электроники. Совершенство структуры и состав слоев в зависимости от температуры их формирования исследованы методами рентгеновской топографии, кривых дифракционного отражения и вторично-ионной масс-спектрометрии. Установлено, что формируемые слои являются монокристаллическими и не содержат на границе с кремниевой подложкой дислокаций несоответствия. Показано, что величину концентрации галлия в слоях можно менять в диапазоне (1.6-4.8)· 1019 cm-3, что выше, чем при легировании кремния алюминием. Ключевые слова: термомиграция, кремний, галлий, дислокации, рентген, дифракция, вторичная ионная масс-спектрометрия.
  1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с
  2. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Середин Б.М. // Изв. вузов. Электромеханика. 2015. N 5(541). С. 54--58
  3. Schmit R.R., Gee J.M. Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers. Patent US N 7649141. Date of Patent: 19.01.2010
  4. Eslamiem M., Saghir M.Z. // Fluid Dyn. Mater. Process. 2012. V. 8. N 4. P. 353--380
  5. Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Шуман В.Б., Середин Б.М. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 6. С. 830--834
  6. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.С. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с
  7. Pyykko P. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. N 2. P. 024115 (1--7)
  8. Hornstra J., Bartels W.J. // J. Cryst. Grwth. 1978. V. 44. N 5. P. 513--517

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.