"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030207
Agence Nationale de la Recherche, INSOMNIA project, ANR-18-CE09-0003
Agence Nationale de la Recherche, EIPHI Graduate School, ANR-17-EURE0002
Фомин Е.В.1, Бондарев А.Д.2, Сошников И.П.2,3, Bercu N.B.4, Giraudet L.4, Molinari M.4, Maurer T.5, Пихтин Н.А.1,2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Laboratoire de Recherche en Nanosciences, Universite de Reims Champagne-Ardenne, Reims, France
5Laboratoire de Nanotechnologie et d'Instrumentation Optique, ICD CNRS UMR, Universite de Technologie de Troyes, Troyes, France
Email: evgeny.fomin@bk.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2019 г.
Принята к печати: 16 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Представлены результаты синтеза методом реактивного ионно-плазменного распыления тонких пленок нитрида алюминия и исследования их свойств с целью применения в качестве защитных покрытий торцевых резонаторов мощных полупроводниковых лазерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs. Исследования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и результаты эллипсометрии показали, что при остаточном давлении в камере порядка ~10-5 Torr в пленках образуется слой оксинитрида алюминия. При этом гетерограница пленка-подложка может претерпеть окисление. Однако пленки AlN толщиной порядка 100 nm, выращенные в среде чистого азота при остаточном давлении ~10-7 Torr, по-видимому, не содержат в составе кислород и могут надежно препятствовать его проникновению в область гетерограницы. Потенциально они могут служить эффективной защитой для гетероструктур, чувствительных к окислению. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, тонкие пленки, пассивация, нитрид алюминия, деградация лазеров.
  1. Beister G., Maege J., Erbert G., Trankle G. // Solid-State Electron. 1998. V. 42. N 11. P. 1939-1945
  2. Souto J., Pura J.L., Torres A., Jimenez J., Bettiati M., Laruelle F.J. // Microelectron. Reliab. 2016. V. 64. P. 627-630
  3. Hempel M., Tomm J.W., Ziegler M., Elsaesser T., Michel N., Krakowski M. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. N 23. P. 231101. DOI: 10.1063/1.3524235
  4. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Shernyakov Y.M., Tsarenkov B.V. // Mater. Sci. Eng. B. 1997. V. 44. P. 380-382
  5. Ressel P., Erbert G., Zeimer U., Hausler K., Beister G., Sumpf B., Klehr A., Trankle G. // Photon. Technol. Lett. 2005. V. 17. N 5. P. 962-964
  6. Shu X., Xu C., Tian Z., Shen G. // Solid-State Electron. 2005. V. 49. N 12. P. 2016-2017
  7. Chand N., Hobson W.S., de Jong J.F., Parayanthal P., Chakrabarti U.K. // Electron. Lett. 1996. V. 32. N 17. P. 1595-1596
  8. Zolotarev V.V., Leshko A.Y., Sokolova Z.N., Lubyanskiy Y.V., Pikhtin N.A., Nikolaev D.N., Shamakhov V.V., Tarasov I.S. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 740. P. 012003
  9. Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 5. С. 594-597
  10. Лубянский Я.В., Бондарев А.Д., Сошников И.П., Берт Н.А., Золотарев В.В., Кириленко Д.А., Котляр К.П., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 2. С. 196-200
  11. Фомин Е.В., Бондарев А.Д., Rumyantseva A.I., Maurer T., Пихтин Н.А., Тарасов С.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 5. С. 38-41
  12. Середин П.В., Федюкин А.В., Терехов В.А., Барков К.А., Арсентьев И.Н., Бондарев А.Д., Фомин Е.В., Пихтин Н.А. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 11. С. 1584-1592

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.