Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030256 
Российский научный фонд, 19-79-30086
Кривобок В.С.
1, Пашкеев Д.А.
1,2, Литвинов Д.А.
1, Григорьева Л.Н.
1,3, Колосов С.А.
1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2АО "НПО Орион", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2АО "НПО Орион", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: krivobokvs@lebedev.ru, d.pashkeev@gmail.com, litvinovd@lebedev.ru, ln.grigorjeva@physics.msu.ru, kolosovsa@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2019 г.
Принята к печати: 9 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/AlxGa1-xAs, используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, что такие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрах поглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвига между уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленные эффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs для ФПУ. Ключевые слова: ИК-детектор, гетероструктура, квантовая яма, низкотемпературная фотолюминесценция.
- Rogalski A., Martyniuk P., Kopytko M. // Appl. Phys. Rev. 2017. V. 4. P. 031304
- Gunapala S., Rhiger D., Jagadish C. // Advances in infrared photodetectors in semiconductors and semimetals. N.Y.: Academic Press, 2011. V. 84. 384 p
- Luo L.B., Zeng L.H., Xie C., Yu Y.Q., Liang F.X., Wu C.Y., Wang L., Hu L.G. // Sci. Rep. 2014. V. 4. P. 3914
- Hsu W.-C., Ling H.-S., Wang S.-Y., Lee C.-P. // Opt. Express. 2018. V. 26. P. 552--558
- Rodina A.V., Alekseev A.Yu. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 115312
- Кривобок В.С., Литвинов Д.А., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пашкеев Д.А., Чернопицский М.А., Григорьева Л.Н. // ФТП. 2019. T. 53. В. 12. С. 1632--1640
- Semiconductors. Group IV elements, IV-IV and III-V compounds. Part b. Electronic, transport, optical and other properties / Eds O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz. Landolt-Bornstein. Group III. Condensed matter. V. 41A1beta. Springer, 2002
- Helm M. The basic physics of intersubband transitions // Semiconductors and semimetals / Eds R.K. Willardson, E.R. Beer. N.Y.: Academic Press, 1999. V. 62. P. 1--99
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
