Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 6 » Статья стр. 3
>>>
Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона
DOI: 10.21883/PJTF.2020.06.49155.18130
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030256
Российский научный фонд, 19-79-30086
Кривобок В.С. 1, Пашкеев Д.А. 1,2, Литвинов Д.А. 1, Григорьева Л.Н. 1,3, Колосов С.А. 1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2АО "НПО Орион", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: krivobokvs@lebedev.ru, d.pashkeev@gmail.com, litvinovd@lebedev.ru, ln.grigorjeva@physics.msu.ru, kolosovsa@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2019 г.
Принята к печати: 9 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
PDF версия
Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/AlxGa1-xAs, используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, что такие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрах поглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвига между уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленные эффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs для ФПУ. Ключевые слова: ИК-детектор, гетероструктура, квантовая яма, низкотемпературная фотолюминесценция.
  1. Rogalski A., Martyniuk P., Kopytko M. // Appl. Phys. Rev. 2017. V. 4. P. 031304
  2. Gunapala S., Rhiger D., Jagadish C. // Advances in infrared photodetectors in semiconductors and semimetals. N.Y.: Academic Press, 2011. V. 84. 384 p
  3. Luo L.B., Zeng L.H., Xie C., Yu Y.Q., Liang F.X., Wu C.Y., Wang L., Hu L.G. // Sci. Rep. 2014. V. 4. P. 3914
  4. Hsu W.-C., Ling H.-S., Wang S.-Y., Lee C.-P. // Opt. Express. 2018. V. 26. P. 552--558
  5. Rodina A.V., Alekseev A.Yu. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 115312
  6. Кривобок В.С., Литвинов Д.А., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пашкеев Д.А., Чернопицский М.А., Григорьева Л.Н. // ФТП. 2019. T. 53. В. 12. С. 1632--1640
  7. Semiconductors. Group IV elements, IV-IV and III-V compounds. Part b. Electronic, transport, optical and other properties / Eds O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz. Landolt-Bornstein. Group III. Condensed matter. V. 41A1beta. Springer, 2002
  8. Helm M. The basic physics of intersubband transitions // Semiconductors and semimetals / Eds R.K. Willardson, E.R. Beer. N.Y.: Academic Press, 1999. V. 62. P. 1--99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme