"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)B и (100)
Переводная версия: 10.1134/S1063785020020194
РФФИ, 18-02-00764
Емельянов Е.А.1, Настовьяк А.Г.1, Петрушков М.О.1, Есин М.Ю. 1, Гаврилова Т.А.1, Путято М.А.1, Шварц Н.Л.1,2, Швец В.А.1,3, Васев А.В. 1, Семягин Б.Р.1, Преображенский В.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: alla@isp.nsc.ru, yesinm@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, pvv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

На поверхности подложек GaAs(111)B и GaAs(100) методом самокаталитического роста из молекулярных потоков сформированы нитевидные нанокристаллы (ННК) GaAs. Маска для роста ННК изготавливалась путем окисления эпитаксиального слоя кремния, выращенного на поверхности подложек методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Окисление кремния проводилось в атмосфере очищенного воздуха при нормальных условиях без перемещения структур за пределы объема вакуумной системы установки МЛЭ. Процесс окисления гетероструктуры Si/GaAs исследован с помощью одноволновой и спектральной эллипсометрии, а морфология поверхности окисленного кремния - методами атомно-силовой микроскопии. Образцы с ННК исследованы методом сканирующей электронной микроскопии. Плотность ННК составила порядка 2.6·107 и 3·107 cm-2 для (111)B и (100) соответственно. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, эллипсометрия, атомно-силовая микроскопия, сканирующая электронная микроскопия.
  1. Wang Z.H., Nabet B. // Nanophotonics. 2015. V. 4. N 4. P. 491-502. https://doi.org/10.1515/nanoph-2015-0025
  2. Hayden O., Agarwal R., Lu W. // Nano Today. 2008. V. 3. N 5-6. P. 12-22. https://doi.org/10.1016/S1748-0132(08)70061-6
  3. Сибирев Н.В., Котляр К.П., Корякин А.А., Штром И.В., Убыйвовк Е.В., Сошников И.П., Резник Р.Р., Буравлев А.Д., Цырлин Г.Э. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 12. С. 1464-1468
  4. Mikulics M., Zhang J., Sobolewski R., Adam R., Juul L., Marso M., Winden A., Hardtdegen H., Grutzmacher D., Kordov s P. GaAs nanowhiskers for femtosecond photodetectors and THz emitters // The 9th Int. Conf. on advanced semiconductor devices and microsystems (ASDAM 2012). N.Y.: IEEE, 2012. P. 71-74
  5. Koivusalo E., Hakkarainen T., Guina M. // Nanoscale Res. Lett. 2017. V. 12. P. 192. https://doi.org/10.1186/S11671-017-1989-9
  6. Matteini F., Tutuncuoglu G., Ruffer D., Alarcon-Llado E., Fontcuberta i Morral A. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 404. P. 246-255. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.07.034
  7. Fontcuberta i Morral A., Colombo C., Abstreiter G., Arbiol J., Morante J.R. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 6. P. 063112. https://doi.org/10.1063/1.2837191
  8. Rieger T., Heiderich S., Lenk S., Lepsa M.I., Grutzmacher D. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 353. N 1. P. 39-46. https://doi.org/ 10.1016/j.jcrysgro.2012.05.006
  9. Matteini F., Tutuncuoglu G., Potts H., Jabeen F., Fontcuberta i Morral A. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. N 7. P. 3105-3109. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00374
  10. Ambrosini S., Fanetti M., Grillo V., Franciosi A., Rubini S. // AIP Adv. 2011. V. 1. N 4. P. 042142. https://doi.org/10.1063/1.3664133
  11. Ambrosini S., Fanetti M., Grillo V., Franciosi A., Rubini S. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. N 9. P. 094306. https://doi.org/10.1063/1.3579449
  12. Бондарев В.А. // Энергетика. Изв. вузов и энергетических объединений СНГ. 2006. N 2. С. 68-73
  13. Hiruma K., Yazawa M., Katsuyama T., Ogawa K., Haraguchi K., Koguchi M., Kakibayashi H. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 2. P. 447-462

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.