Вышедшие номера
Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785020020121
Семакова А.А. 1,2, Липницкая С.Н. 2, Мынбаев К.Д. 1, Баженов Н.Л. 1, Кижаев С.С. 3, Черняев А.В. 1,3,4, Стоянов Н.Д. 3, Lipsanen H. 2,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
5Aalto University, Aalto, Finland
Email: antonina.semakova@itmo.ru, snlipnitskaya@itmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, s.kizhaev@ledmicrosensor.com, chernyaevav@yandex.ru, nd@ledmicrosensor.com, harri.lipsanen@aalto.fi
Поступила в редакцию: 18 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Проведены экспериментальные исследования, расчеты с использованием пакета MATLAB и моделирование в среде COMSOL MultiphysicsoledR спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs, излучающих в среднем инфракрасном диапазоне. Путем сопоставления результатов экспериментов, расчетов и моделирования построена картина формирования спектров излучения гетероструктур. Полученные результаты подтверждают перспективы использования моделирования при конструировании светодиодных структур. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, арсенид индия, электролюминесценция.