"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120216
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, фундаментальные исследования, ОТ-Ф2-67
Халиллоев М.M.1,2, Жаббарова Б.О.1,2, Насиров А.А.2,1
1Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: x-mahkam@mail.ru, bahorbahor1989@mail.ru, aanasirov1962@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Моделируется зависимость амплитуды случайного телеграфного шума от прироста напряжения на затворе над пороговым для беспереходного вертикального полевого транзистора, изготовленного по технологии "кремний на изоляторе", с поперечным сечением канала в форме прямоугольника и трапеции. Показано, что в подпороговой области амплитуда шума для транзистора с трапецеидальным поперечным сечением заметно меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Помимо этого при одинаковых условиях амплитуда шума при пороговом напряжении на затворе существенно меньше в беспереходном вертикальном транзисторе, чем в планарном, полностью обедненном вертикальном и обычном вертикальном полевом транзисторах. Ключевые слова: случайный телеграфный шум, беспереходный FinFET-транзистор, граничный ловушечный заряд, плотность тока стока.
  1. Marcovic D., Cheng C.W., Alarcon L.P., Liu T.-T., Rabaey J.M. // Proc. of the IEEE. 2010. V. 98. N 2. P. 237--252
  2. Ferain I., Colinge C.A., Colinge J.-P. // Nature. 2011. V. 479. N 7373. P. 310--316
  3. Атамуратова З.А., Юсупов А., Халикбердиев Б.О., Атамуратов А.Э. // ЖТФ. 2019. Т. 89. В. 7. С. 1067--1070
  4. Atamuratov A.E., Atamuratova Z.A., Yusupov A., Ghani A. // Results Phys. 2018. V. 11. P. 656--658
  5. Campbell J.P., Yul L.C., Cheung K.P., Qin J., Suehle J.S., Oates A., Sheng K. Large random telegraph noise in sub-threshold operation of nano-scale nMOSFETs // Proc. IEEE Int. Conf. IC Design and Technology (ICICDT). IEEE, 2009. P. 17--20
  6. Paz B.C., Avila-Herrera F., Cerdeira A., Pavanello M.A. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. N 5. P. 055011
  7. Jaiswal N., Kranti A. // IEEE Trans. Electron Dev. 2018. V. 65. N 9. P. 3669--3675
  8. Razavi P., Dehdashti-Akhavan N., Yu R., Fagas G., Ferain I., Colinge J.-P. Investigation of short-channel effects in junctionless nanowire transistors // Extended Abstracts of the 2011 Int. Conf. on solid state devices and materials. Nagoya, 2011. P. 106--107
  9. Fan M.-L., Yang S.-Y., Hu V.P.-H., Chen Y.-N., Su P., Chuang C.-T. // Microelectron. Reliability. 2014. V. 54. N 4. P. 698--711
  10. Nazarov A.N., Ferain I., Akhavan N.D., Razavi P., Yu R., Colinge J.P. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. N 9. P. 092111
  11. Roy D., Biswas A. // Superlatt. Microstruct. 2016. V. 97. P. 140--154
  12. Абдикаримов А.Э., Юсупов А., Атамуратов А.Э. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 21. С. 22--29
  13. Atamuratov A.E., Abdikarimov A.E., Khalilloev M.M., Atamuratova Z.A., Rahmanov R., Garcia-Loureiro A., Yusupov A. // Nanosystems: Phys. Chem. Math. 2017. V. 8. N 1. P. 71--74
  14. Abdikarimov A.E., Indalecio A.G., Comesana E., Seoane N., Kalna K., Garcia-Loureiro A.J., Atamuratov A.E. Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET // 17th Int. Workshop on computational electronics. Paris, 2014. P. 247--248. http://www.iwce.org/iwce/browse/ iwce-17/ abstracts. html
  15. http://www.synopsys.com
  16. Garci a-Loureiro A.J., Seoane N., Aldegunde M., Vali n R., Asenov A., Martinez A., Kalna K. // IEEE Trans. Computer-Aided Design Integr. Circuits Syst. 2011. V. 30. N 6. P. 841--851
  17. Asenov A., Brown A., Watling J. // Solid-State Electron. 2003. V. 47. N 7. P. 1141--1145
  18. Barraud S., Berthome M., Coquand R., Casse M., Ernst T., Samson M.-P., Perreau P., Bourdelle K.K., Faynot O., Poiroux T. // IEEE Electron Dev. Lett. 2012. V. 33. N 9. P. 1225--1227
  19. Gerrer L., Amoroso S.M., Hussin R., Asenov A. // Microelectron. Reliability. 2014. V. 54. N 9-10. P. 1749--1752

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.