Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S106378501912023X 
Министерство образования и науки Российской Федерации, государственное задание ЮНЦ РАН на 2019 год, 01201354240
Министерство образования и науки Российской Федерации, государственное задание ЮНЦ РАН на 2019 год, АААА-А19-119040390081-2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Методом ионно-лучевого осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки AlN. Методами сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния и оптической спектроскопии выявлены зависимости влияния параметров ионно-лучевого осаждения (состав рабочей газовой смеси, энергия ионного пучка, температура подложки) на морфологию, структуру и оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире. Ключевые слова: ионно-лучевое осаждение, широкозонные полупроводники, нитрид алюминия, нитрид галлия, сапфир.
- Ryou J.-H., Lee W. GaN on sapphire substrates for visible light-emitting diodes // Nitride semiconductor light-emitting diodes (LEDs): materials, technologies, and applications / Eds J.J. Huang, H.-C. Kuo, S.-C. Shen. 2nd ed. Amsterdam, Netherlands: Elsevier, 2018. Ch. 3. P. 43--78. DOI: 10.1016/C2016-0-01551-6. 2014
- Nishikawa A., Loesing A., Slischka B. Achieving high uniformity and yield of 200 mm GaN-on-Si LED epiwafers for micro LED applications with precise strain-engineering // SID Symp. Digest of technical papers. 2019. V. 50. N 1. P. 338--341. DOI: 10.1002/sdtp.12925
- Sadasivan V., Mathew M. Direct Epitaxial lateral overgrowth of GaN on sapphire // Int. Workshop on the physics of semiconductor and devices. Cham: Springer, 2017. P. 263--267
- Wang W.-K., Huang S.-Y., Jiang M.-C., Wuu D.-S. // Appl. Sci. 2017. V. 7. N 1. P. 87. DOI: 10.3390/app7010087
- Dixit R., Tyagi P., Kushvaha S.S., Chockalingam S., Yadav B., Sharma N.D., Kumar M.S. // Opt. Mater. 2017. V. 66. P. 142--148. DOI: 10.1016/j.optmat.2017.01.053
- Hentschel R., Gartner J., Wachowiak A., Grobetaer A., Mikolajick T., Schmult S. // J. Cryst. Growth. 2018. V. 500. P. 1--4. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.026
- Kueller V., Knauer A., Brunner F., Zeimer U., Rodriguez H., Kneissl M., Weyers M. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 315. N 1. P. 200--203. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.06.040
- Six S., Gerlach J.W., Rauschenbach B. // Surf. Coat. Technol. 2001. V. 142-144. P. 397--401. DOI: 10.1016/S0257-8972(01)01133-1
- Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Ирха В.А. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 16. С. 30--37
- Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Williamson A., Лунин Л.С., Ирха В.А., Гамидов В.А. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 13. C. 102--110
- Pashchenko A.S., Lunin L.S., Danilina E.M., Chebotarev S.N. // Beilst. J. Nanotechnol. 2018. N 9. P. 2794--2801. DOI: 10.3762/bjnano.9.261
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
