Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 22 » Статья стр. 3
>>>
Влияние потока низкотемпературной плазмы азота на морфологию, электрические и УФ-проводящие свойства пленок ZnO на сапфире
DOI: 10.21883/PJTF.2019.22.48639.17951
Переводная версия: 10.1134/S106378501911021X
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание ФГБУ ОИВТ РАН
Министерство науки и высшего образования России , Государственное задание ФНИЦ «Кристаллография и фотоника»
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-24203 мк
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-08-00598
Гаджиев М.Х. 1, Тюфтяев А.С. 1, Муслимов А.Э.2, Каневский В.М.2, Исмаилов А.М.3, Бабаев В.А.3
1Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: makhach@mail.ru, astpl@mail.ru, amuslimov@mail.ru, egdada@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования влияния потока высокоэнтальпийной низкотемпературной плазмы азота, генерируемого плазмотроном постоянного тока, на морфологию, электрические и УФ-проводящие свойства пленок ZnO на сапфире. Показано, что сопротивление пленок ZnO после обработки плазмой азота возрастает (максимально в 104 раз) и они демонстрируют отчетливый отклик на ультрафиолетовое освещение. УФ-чувствительность по току и контрастность тока образцов при 6 V имеют величины порядка 3.6· 10-5 A/W и 16 соответственно. Время нарастания и спада фототока ~ 0.45 s. Ключевые слова: оксид цинка, низкотемпературная плазма, плазмотрон.
  1. Mishra Y.K., Adelung R. // Mater. Today. 2018. V. 21. P. 631--651
  2. Faraji N., Ulrich C., Wolff N., Kienle K., Adelung R., Kumar Y., Seidel J. // Adv. Electron. Mater. 2016. V. 2. P. 1600138
  3. Desai M.A., Sartale S. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 4813--4820
  4. Gimenez A.J., Yanez-Limon J.M., Seminario J.M. // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. P. 282--287
  5. Gupta A., Arunachalam Sh., Cloutier S., Izquierdo R. // ACS Photon. 2018. V. 5. P. 3923--3929
  6. Postica V., Paulowicz I., Lupan O., Schutt F., Wolff N., Cojocaru A., Mishra K.Y., Kienle L., Adelung R. // Vacuum. 2018. V. 166. P. 393--398
  7. Liu W.W., Yao B., Zhang Z.Z., Li Y.F., Li B.H., Shan C.H., Zhang J.Y., Chen D.Z., Fan X.W. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 093518
  8. Gorbatenko L.S., Novodvorsky O.A., Panchenko V.Ya., Khramova O.D., Cherebilo Ye.A., Lotin A.A., Wenzel C., Trumpaicka N., Bartha J.W. // Laser Phys. 2009. V. 19. P. 1152--1158
  9. Wang D., Zhao D., Wang F., Yao B., Shen D. // Phys. Status Solidi A. 2015. V. 212. P. 846--850
  10. Власов В.П., Буташин А.В., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Бабаев В.А., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Х. // Кристаллография. 2014. Т. 59. N 3. С. 467--470
  11. Исакаев Э.Х., Синкевич О.А., Тюфтяев А.С., Чиннов В.Ф. // ТВТ. 2010. Т. 48. N 1. С. 105--134
  12. Гаджиев М.Х., Исакаев Э.Х., Тюфтяев А.С., Юсупов Д.И. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 2. С. 44--49
  13. Yang Z., Wang M., Song X., Yan G., Dingband Y., Baic J. // J. Mater. Chem. C. 2014. V. 2. P. 4312--4319

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme