Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110129 
Российский научный фонд, 19-72-30010
Министерство науки и высшего образования РФ, Госзадание, 16.2483.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований , № 16-29-03037-офи
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Продемонстрирована принципиальная возможность синтеза наноструктур InGaN разветвленной морфологии ("наноцветов") методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности подложки кремния. Результаты морфологических исследований показали, что развитие морфологии наноструктур InGaN происходит в несколько этапов даже при поддержании неизменной температуры подложки. Выращенные структуры демонстрируют линию фотолюминесценции в широком диапазоне длин волн от 450 до 950 nm при комнатной температуре. Ключевые слова: нитридные наноструктуры, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.
- Ambacher O. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. V. 31. P. 2653--2710
- Moustakas T.D., Iliopoulos E., Sampath A.V., Ng H.M., Doppalapudi D., Misra M., Korakakis D., Singh R. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227-228. P. 13--20
- Бессолов В.Н., Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Полетаев Н.К., Раевский С.Д., Родин С.Н., Смирнов С.Л., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П., Park H.S., Koike M. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В.15. С. 60--66
- Reznik R., Soshnikov I., Kukushkin S., Osipov A., Talalaev V., Cirlin G. // AIP Conf. Proc. 2019. V. 2064. P. 040004
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585--1628
- Hu F.R., Ochi K., Zhao Y., Hanea K. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 171903
- Glas F., Harmand J.-C. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 155320
- Сибирёв Н.В., Сошников И.П., Дубровский В.Г., Аршанский Е. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 7. С. 28--35
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
